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haoren007 发表于 2022-8-30 13:49 我的理解就是接电源的PMOS的源漏端直接用SP接N阱的SN,同样接地的NMOS的源漏端直接用SN接P阱的SP,简而言之, ...
AKA西界 发表于 2022-8-30 16:10 感谢! 这样连,有什么优缺点?
haoren007 发表于 2022-8-31 08:47 缺点是Active的方块电阻比铝电阻大,传输过程中有电压损耗 优点是节约面积 ...
AKA西界 发表于 2022-8-31 11:36 好的 谢谢! 但是我把active连到一起,lvs会报这条衬底的连线的错。 是连错了(有需要什么注意的地方) ...
yfanny1980 发表于 2022-8-31 17:07 必须是有butting工艺的才能用butting结构,再就是看看你是不是都做对了
haoren007 发表于 2022-9-1 09:02 FAB设计规则如果有注释:butting diffusion is allowed 你就可以放心这样设计,如果没有,还请和CE沟通, ...
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