浅谈refresh&self refresh 仿真 --总结二

沉睡的狮子888

       refresh /self refresh 是DRAM 保持数据正确性的2种手段， 是为了补充漏电流带来的电荷损失。refresh 是动态刷新，比较重要的2个参数Trfc、trefi。Trefc 是refresh 与normal command 的cycle 间隔，与颗粒存储大小有关系；trefi 是2个refresh cmd 之间的时间间隔。

      self refresh 原理是DRAM内建计数器，在系统进入low power 之后，可以在一定时间内自刷新，保证数据不丢失。需要注意的是 DRAM 供电电压需要保持稳定。   
JESD79-4B 中参数规定如下图，有些颗粒是不完全遵循该规定的，例如Hynix, DDR4 16gb 颗粒Trfc1（min）支持 350/450/550ns


1. 通过MRS 设置refresh mode 为fixed 1x mode


2.配置参数tref，trfc 分别为7.8us，350ns
3.配置LPI参数,
  （1）enable low power 以及 self refresh short、long 模式
  （2）设置phy response 时间以及deassert lp_ack 时间，如果在response 时间内PHY 没有反馈ACK 则controller 取消low power 请求；如果controller 需要从low power 中wakeup，PHY 在规定时间没有de-assert lp_ack ，则通过中断报错
  （3） 设置controller idle 时间，该时间timeout 会发起low power 请求，不同的idle 阶段，会让PHY 分别进入power down 、self refresh 的不同阶段，
  （4）设置gating clk，进入self refresh 或者power down，会gating PHY clk
  （5）设置参数lp_auto_exit_en，当有新的write、read command 时，lpi 自动退出
4. 发起一笔数据write
5.通过UVM 自带的后门访问`uvm_hdl_read, 检测PHY 已经进入power down
6. delay 一段时间，发起一笔read，读取步骤4的数据，通过scoreboard，检查数据一致性

仿真结果：




从仿真结果看PHY PLL 有重新lock，从发起read 到phy pll ready 大概需要几us，本仿真环境中是3us。
需要考量下这个delay 对实际应用的影响，例如企业级固态硬盘一版不用self refresh 功能。

lvnanll

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