运算放大器共源共栅管偏置问题

丁当冬冬当当 · 发表于 2022-8-17 15:54:40

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本帖最后由丁当冬冬当当于 2022-8-17 15:57 编辑

大佬们，我照着何乐年的那本《模拟集成电路设计与仿真》第六章的运算放大器画的，用的smic0.13um的库，根据gm和Id计算的管子宽长比，书上没写第二层共源共栅管（M11，M12）的偏置电压怎么计算，然后在确定偏置电压时就卡住了，因为M9和M10是二极管连接型，过驱动电压也取得120mV，M9和M11之间的电位会随着M11的偏置电压变化，不知道如何确定，共源共栅管一直不能进入饱和区。刚开始学习IC设计，希望各位大佬指点一二，感激涕零

设计图如下：

原文片段如下：

p136-140.pdf (12.46 MB, 下载次数: 2 )

98kk · 发表于 2022-8-17 17:15:43

你可以令VDS=vgs-vth+200mv去设计，这样就保证每一层管子都处于饱和区，再去调整GM和RO，电流SR相位裕度，增益PSRR等等

丁当冬冬当当 · 发表于 2022-8-17 17:52:47

98kk 发表于 2022-8-17 17:15
你可以令VDS=vgs-vth+200mv去设计，这样就保证每一层管子都处于饱和区，再去调整GM和RO，电流SR相位裕度， ...

谢谢老哥，可是Vds以及导通状态不是由Vgs和Vth的关系确定的吗？应该调整哪个参数呢？另外，工作在饱和区的gm是不是比亚阈值区大？调来调去管子都是工作在线性区或者亚阈值区。谢谢

98kk · 发表于 2022-8-17 17:57:22

本帖最后由 98kk 于 2022-8-17 17:58 编辑

确定好了偏置电压后，更改管子M和L可以直接影响管子的VDS，你可以把他看成一个电阻去调，合理分配每一层的VDS，并且让他们满足饱和区条件

[求助] 运算放大器共源共栅管偏置问题

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