如何理解管子尺寸越大，可以使LDO的Vdrop越小？

DUTLF

如何理解管子尺寸越大，可以使LDO的Vdrop越小？

xuwenwei

   

DUTLF 发表于 2022-8-10 21:33
主要是书上的逻辑关系是，增大W/L，可以减小直流阻抗RO，进而减小vdrop，我不理解管子尺寸和直流阻抗的关 ...

单看mos管的话，直流阻抗RO=Vds/I，而I根据饱和区公式正比于W/L与Vds，因此Vds一定的情况下，W/L越大，RO越小。 如果这样去看LDO的话，你增加了W/L，RO变小了，但是这里电流又是一样的话，就必须将Vds降低才能使得电流保持一定，这里的vds就是vdrop。
你那样理解我也不知道可不可以

DUTLF

刚刚想了一下，功率管漏电流不变的情况下，假设工作在稳压区，那么增大K，可以让过驱动电压下降，即抬高s点电位，减小vds，ron=vds/id，则直流阻抗ron下降，解除了对Vdrop=id*ron的限制，让Vdrop也下降了。

lkj950726

同样的电流情况下，W/L越大，过驱动电压越小，当然vdrop也越小

xuwenwei

虽然一般来说饱和区电流和Vds关系不大，但其实二级效应的话还是存在的，就是Vds和电流还是存在一定的关系，因此r如果其他参数不变的情况下，电流正比于W/L＊Vds，如果驱动相同电流的条件下，自然W/L越大需要的Vds就越小

DUTLF

   

xuwenwei 发表于 2022-8-10 08:51
虽然一般来说饱和区电流和Vds关系不大，但其实二级效应的话还是存在的，就是Vds和电流还是存在一定的关系， ...

主要是书上的逻辑关系是，增大W/L，可以减小直流阻抗RO，进而减小vdrop，我不理解管子尺寸和直流阻抗的关系，后来我想了一下应该是通过减小vds来降低直流阻抗，定义vdrop是id*RO，应该是这样理解。实际上换成增大W/L，减小过驱动电压来减小Vdsat，这样管子饱和的vds要求下降了，可以让我的Vdrop下降得更多，这样理解会不会好点。