高压BCD工艺ESD咨询

fei_SH · 发表于 2023-2-7 10:54:58

u12u34 发表于 2022-8-24 16:42
这种ESD防护结构与GDPMOS类似都是进行雪崩击穿后，三极管导通，形成泄放通道。这种原理的ESD器件的TLP曲线 ...

LV的PNP通常有微弱的snapback。这个是40V的PNP，绝大多数的高压PNP是没有snapback的，通常Vt1和Vh重合，就是开启后直接往上走，看不到骤回特性。

因此高压的PNP的Vt2一般比较高，使用的时候要充分参考TLP曲线和ESD window。通常PNP的有效保护只有实际TLP测试的It2的一半。少数开发的特别好的HV PNP可以发挥80%-100%的性能。

神谕_520 · 发表于 2023-7-8 08:56:33

EB短接的PNP管子做电源到地的ESD保护，原理和GDPMOS差不多，基本没有Snapback，效果很好

franzjoseph · 发表于 2023-10-29 23:08:26

靠面积死扛

ijunqiu · 发表于 2023-11-27 22:38:54

GGNMOS GIDL trigger Bipolar

hijackerhaha · 发表于 2023-12-2 11:38:35

fei_SH 发表于 2023-2-7 10:54
LV的PNP通常有微弱的snapback。这个是40V的PNP，绝大多数的高压PNP是没有snapback的，通常Vt1和Vh重合， ...

请教一下下面这句话描述现象的原因是什么？不是非均匀开启的原因吧？

“通常PNP的有效保护只有实际TLP测试的It2的一半。”

angel · 发表于 2023-12-20 11:13:36

hijackerhaha 发表于 2023-12-2 11:38
请教一下下面这句话描述现象的原因是什么？不是非均匀开启的原因吧？

“通常PNP的有效保护只有实际TL ...

我的理解是，高压ESD 器件本身可能很耐抗，It2 Vt2 都很高，但内部保护器件的 BV 有限，内部保护的高压器件BV 对应ESD器件 TLP上的电流值决定了 ESD 可以到多少。

如示例图，若内部器件 BV是 63V，则该 ESD 也就耐 2A。

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