在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3126|回复: 15

[求助] 高压BCD工艺ESD咨询

[复制链接]
发表于 2022-7-9 14:10:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
image.png
想问下0.18umBCD工艺中这种ESD管子的工作原理是?这种ESD防护效果如何?
发表于 2022-7-9 18:00:07 | 显示全部楼层
二极管钳位吧
 楼主| 发表于 2022-7-9 18:33:12 | 显示全部楼层
二极管。。。没那么简单吧
发表于 2022-7-9 19:56:38 | 显示全部楼层
看起来就是那么简单
发表于 2022-7-10 10:55:01 | 显示全部楼层
应该是利用PNP BJT来防护,跟GDPMOS一样,利用PNP开启泄放大电流。防护效果应该参考FAB的TLP来看
发表于 2022-7-10 16:04:27 | 显示全部楼层
GGMOS ESD
发表于 2022-8-12 11:39:17 | 显示全部楼层
GGMOS ESD
发表于 2022-8-24 16:42:30 | 显示全部楼层
这种ESD防护结构与GDPMOS类似都是进行雪崩击穿后,三极管导通,形成泄放通道。这种原理的ESD器件的TLP曲线都会有snap-back特性,而这里不用NPN而选取PNP的原因是:NPN的snap-back深一些,会有latch-up风险,尤其是应用在VDD上,所以选用了泄放能力稍差一点的PNP。这种结构作为ESD防护是没问题的,但是具体的防护等级与布局方式与器件结构有关。
发表于 2022-9-1 21:30:37 | 显示全部楼层
這是LPNP, 他不會snapback, 所以很適合放在VDD到GND. 又因為他不會snapback, 所以很好判斷電路操作電壓對應到的ESD It2 (By TLP的話)
发表于 2022-10-6 18:01:00 | 显示全部楼层
和二极管相比,利用PNP的放大作用转移了能量,本质还是一个二极管, 由于没有snap-back, Vt2 一般比较大,面积也很大
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-29 01:30 , Processed in 0.028460 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表