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[求助] 高压BCD工艺ESD咨询

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发表于 2022-7-9 14:10:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想问下0.18umBCD工艺中这种ESD管子的工作原理是?这种ESD防护效果如何?
发表于 2022-7-9 18:00:07 | 显示全部楼层
二极管钳位吧
 楼主| 发表于 2022-7-9 18:33:12 | 显示全部楼层
二极管。。。没那么简单吧
发表于 2022-7-9 19:56:38 | 显示全部楼层
看起来就是那么简单
发表于 2022-7-10 10:55:01 | 显示全部楼层
应该是利用PNP BJT来防护,跟GDPMOS一样,利用PNP开启泄放大电流。防护效果应该参考FAB的TLP来看
发表于 2022-7-10 16:04:27 | 显示全部楼层
GGMOS ESD
发表于 2022-8-12 11:39:17 | 显示全部楼层
GGMOS ESD
发表于 2022-8-24 16:42:30 | 显示全部楼层
这种ESD防护结构与GDPMOS类似都是进行雪崩击穿后,三极管导通,形成泄放通道。这种原理的ESD器件的TLP曲线都会有snap-back特性,而这里不用NPN而选取PNP的原因是:NPN的snap-back深一些,会有latch-up风险,尤其是应用在VDD上,所以选用了泄放能力稍差一点的PNP。这种结构作为ESD防护是没问题的,但是具体的防护等级与布局方式与器件结构有关。
发表于 2022-9-1 21:30:37 | 显示全部楼层
這是LPNP, 他不會snapback, 所以很適合放在VDD到GND. 又因為他不會snapback, 所以很好判斷電路操作電壓對應到的ESD It2 (By TLP的話)
发表于 2022-10-6 18:01:00 | 显示全部楼层
和二极管相比,利用PNP的放大作用转移了能量,本质还是一个二极管, 由于没有snap-back, Vt2 一般比较大,面积也很大
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