ESD正、负脉冲问题

sujh0755

请问各位一个问题：
如下图，一个GGNMOS，在Drain端打ESD正脉冲，和在source端打ESD负脉冲，二者ESD放电原理有什么不同？
给我的感觉应该是一样的，都是触发体寄生三极管的snapback放电，所以放电通路相同，不知道我理解的对不对。

tsod

你把两条放电路径画出来

castrader

自己器件本身的原理应该是一样的，但是放进芯片的IOring中还是有区别的，地有一个环并且有PAD可以放电出去，而drain端没这种连接。而且ESD器件都是source很近而drain距离gate远，所以还是不一样的。

sujh0755

tsod 发表于 2022-6-28 20:08
你把两条放电路径画出来

简单画了下，感觉确实有差别。

D端正脉冲，有漏电走body电阻，寄生NPN的VB被抬高，E端正偏，C端反偏，进入放大状态，触发snapback曲线泄放电流。
S端负脉冲，寄生NPN看出是2个背靠背的diode，对GND的diode正向导通，另一个diode反向击穿才能放电，区别是body电阻无电流，无放大效果，单纯靠diode的反偏雪崩击穿。
不知道我理解的对不对。

shauncc21

sujh0755 发表于 2022-6-29 09:51
简单画了下，感觉确实有差别。

D端正脉冲，有漏电走body电阻，寄生NPN的VB被抬高，E端正偏，C端反偏， ...

NPN本身就是两个背靠背的PN结吧，还有单纯看deivce，source端负压和Drain端正压感觉没差别唉。

sujh0755

找了工艺厂的同学问，确实没有区别，放电通路一样，而且用TLP曲线描出来一样。
但是如果还有其他内部电路，可能会有区别。