IO的ESD问题

liaohero · 发表于 2022-6-21 17:46:02

立华奏发表于 2022-6-21 17:29
大佬能详细说说你的看法吗？

其實先問問自己，在糾結什麼比較重要

立华奏 · 发表于 2022-6-21 20:54:58

liaohero 发表于 2022-6-21 17:46
其實先問問自己，在糾結什麼比較重要

我们这么做确实是出于IR和EM的考虑，但是如果ESD发生，正如所理解的，这个时候看PAD到CLAMP的电阻和CORE到CLAMP的电阻谁大，但如果是从CORE到CLAMP这条路径泄放，我理解是有风险的，但是现在公司的芯片没有出现过ESD问题。

liaohero · 发表于 2022-6-22 08:14:50

是的理論上是這樣，所以不用糾結，這還有關於測試方法。

baimax · 发表于 2022-6-22 16:10:22

就算是在core区域打孔的话，PAD到cell的电阻应该仍旧小于到IO内部clamp的电阻，因此IO还是能起到ESD的作用。

立华奏 · 发表于 2022-6-23 10:05:34

baimax 发表于 2022-6-22 16:10
就算是在core区域打孔的话，PAD到cell的电阻应该仍旧小于到IO内部clamp的电阻，因此IO还是能起到ESD的作用 ...

确实顶层Power到下面的器件要经过很多Metal层和孔，电阻较大。

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