求教为什么片上电压器在MMIC GaAs/GaN中很少使用？

ovicovic

1. 为什么毫米波CMOS PA中差分放大器使用非常普遍，但是在三五族工艺（GaAs, GaN）中不常用差分对呢？
2. 为什么毫米波CMOS PA中片上变压器很常见，各种结构玩出花来。但是在三五族工艺中经常使用T型电感结构，或结构普通的耦合线结构（特别长），而很少用到像CMOS那样做成环状结构的变压器，这是为什么呢？因为CMOS金属层数比GaAs/GaN多很多？因为大耦合系数在CMOS更好实现？还有其他的考虑和制约吗？

PS1：RF CMOS PA，片上变压器+差分PA参考论文：
[1] Wang, Fei, and Hua Wang. "A Broadband Linear Ultra-Compact mm-Wave Power Amplifier With Distributed-Balun Output Network: Analysis and Design." IEEE Journal of Solid-State Circuits 56.8 (2021): 2308-2323. （环状变压器+耦合线巴伦）
[2] Mannem, Naga Sasikanth, Tzu-Yuan Huang, and Hua Wang. "Broadband Active Load-Modulation Power Amplification Using Coupled-Line Baluns: A Multifrequency Role-Exchange Coupler Doherty Amplifier Architecture." IEEE Journal of Solid-State Circuits 56.10 (2021): 3109-3122. （环状变压器+耦合线巴伦+Doherty）


PS2：MMIC GaAs / GaN PA，片上变压器+差分PA参考论文：
[1] Zhang, Jincheng, et al. "A 20-30 GHz Compact PHEMT Power Amplifier Using Coupled-Line Based MCCR Matching Technique." 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS). IEEE, 2020. （叠层耦合变压器）
[2] Qunaj, Valdrin, and Patrick Reynaert. "Compact Transformer-Based Matching Structures for Ka-Band Power Amplifiers." 2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC). IEEE, 2019. （叠层耦合变压器）
[3] Nikandish, Gholamreza, Robert Bogdan Staszewski, and Anding Zhu. "Bandwidth enhancement of GaN MMIC Doherty power amplifiers using broadband transformer-based load modulation network." IEEE Access 7 (2019): 119844-119855. （非常长窄边耦合线，没有做成类似环装的结构，非差分结构）

追魂

同问，为什么？

evlvu

应该都可以用的，只是CMOS更早碰到瓶颈，所以文章多一些啦

ovicovic

evlvu 发表于 2022-6-15 09:20
应该都可以用的，只是CMOS更早碰到瓶颈，所以文章多一些啦

您看看我的一个镜像贴，似乎和你说的不太一样。
为什么片上电压器在MMIC GaAs/GaN中很少使用？
https://bbs.eetop.cn/thread-929832-1-1.html