匹配器件上走金属线问题讨论

柏林大大 · 发表于 2022-5-31 11:25:17

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画了很多版图，越画越困惑。有些问题希望各位大牛能指导一下，大佬们多多讨论，给出意见。问题1:  匹配MOS管栅极上能不能走线，如果走线具体影响到什么？影响又有多少？  如果不能走线，那填充的fill金属有没有影响？

问题2：电流镜匹配精度有没有定义，什么电流范围算需要高精度匹配？ 50nA或者10nA?

问题3：匹配MOS管上走线，如果走M2，是否可以走？更高层，是否可以走？  （疑惑点：在进行TOP层版图的时候，多数不会考虑底层是否是电流镜或者差分，顶层的电源线通常会比较宽，且有可能横跨电流镜或差分）

问题4：工艺制程对匹配的影响？  小工艺下（40nm以下），器件合并好一些还是分开好一些？大工艺下（90nm、.13、.18等）又该怎么处理？

问题5：如果匹配MOS管上面不走线，那布线需要引出去接线，引出去的接线对匹配的影响？（引出去的话，线会比较长，且并行多条）  引出去的长线和器件上走线，哪个影响更大，有没有科学依据能解释这个问题？

希望各位大佬看到了贴子能多发言，一起讨论！拜谢！

羽羽 · 发表于 2022-6-14 17:30:34

1.匹配MOS管上面要么均匀跨线要么都不压线，dummy fill手动均匀添加，同时添加DMEXCL防止自动铺dummy时添加上去了
2.具体匹配精度需要和电路沟通
3.同问题1，但你提到了顶层电源地走线，尽可能不要跨过匹配部分，顶层电源地可采用“蜘蛛网”
4.画过的小工艺都是合并的，同时四周dummy；大工艺，他们比较在乎面积，能合并的都合并了
5.重要的信号线，一般是拉出去单独走线了，遇到并行的拉开间距，一般是大于2倍线宽的距离
所有版图开始前都需要和电路沟通一遍，了解电路对版图的要求，毕竟如果是你的东西也不希望被人胡乱来一通。
以上为个人经验，不对的地方还请指出纠正，谢谢。

gxc_cjgs · 发表于 2022-6-7 11:14:54

捞一下，插个眼

龙学芯 · 发表于 2022-6-8 11:25:28

捞一下，插个眼

3061323251 · 发表于 2022-6-8 11:38:11

22届本科应届，小解一下

3061323251 · 发表于 2022-6-8 11:42:05

1.模拟电路基本禁止mos栅极走线，数字的可以走，栅极走线会影响Vgs的输入，具体要看画出来的，去测

3061323251 · 发表于 2022-6-8 11:47:09

2.所有匹配都可以按照中心点对称来走，电流镜高精度匹配，跟电路商量

3061323251 · 发表于 2022-6-8 11:48:08

3.能用底层金属尽量用底层

3061323251 · 发表于 2022-6-8 11:49:04

4.40nm下尽量合并，大工艺尽量拉开，噪声大

3061323251 · 发表于 2022-6-8 11:59:22

5.引线会影响电压电流，会产生寄生，如果工艺金属层次给的比较低，就只能才用引线的方法也没有办法

MrHlayout · 发表于 2022-6-14 10:12:25

1.匹配的MOS管栅极上尽量别走线，如果要走的话那一定要对称；

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