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查看: 3857|回复: 14

[求助] DRC报错,请教解决办法

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发表于 2022-5-17 19:22:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
请各位大佬帮忙解决这些DRC错误,附图
错误1.png 错误2.png 错误3.png




最佳答案

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图1解决方法:Mn包Vn-1(n是比n-1高一个层次,如M3和V2)至少需要0.15u(没指定方向,就是任意方向),增加Mn的面积,直到满足0.15um的约束;图2我没看懂具体的情况;图3是说SN和SP重叠了,调整SN和SP就行了。(半导体物理中有一个杂质补偿的概念解释了为什么不要SN和SP重叠)
发表于 2022-5-17 19:22:18 | 显示全部楼层
图1解决方法:Mn包Vn-1(n是比n-1高一个层次,如M3和V2)至少需要0.15u(没指定方向,就是任意方向),增加Mn的面积,直到满足0.15um的约束;图2我没看懂具体的情况;图3是说SN和SP重叠了,调整SN和SP就行了。(半导体物理中有一个杂质补偿的概念解释了为什么不要SN和SP重叠)
 楼主| 发表于 2022-5-17 19:28:57 | 显示全部楼层
诚请各位大佬解释并指导解决!!
发表于 2022-5-18 14:49:51 | 显示全部楼层
本帖最后由 zhang12232015 于 2022-5-18 14:51 编辑

一般工艺都会自带有一个drc相关的文档 说明你这些错该怎么修你可以找找 你这看着像是smic的工艺吧 找一找那个文档 里面很详细
 楼主| 发表于 2022-5-18 16:17:36 | 显示全部楼层


zhang12232015 发表于 2022-5-18 14:49
一般工艺都会自带有一个drc相关的文档 说明你这些错该怎么修你可以找找 你这看着像是smic的工艺吧 找一找那 ...


谢谢!  我马上看看 。

 楼主| 发表于 2022-5-18 21:33:56 | 显示全部楼层


jiangrui666 发表于 2022-5-18 21:07
图1解决方法:Mn包Vn-1(n是比n-1高一个层次,如M3和V2)至少需要0.15u(没指定方向,就是任意方向),增加Mn ...


谢谢大佬!您的解释很清楚,但是我查看了这个通孔,他是M2 TM1  V2   这个让我很迷茫。我试过了将M2 TM1都距离V2 超过0.15um   都不对
 楼主| 发表于 2022-5-18 21:36:29 | 显示全部楼层


kingsl 发表于 2022-5-18 21:33
谢谢大佬!您的解释很清楚,但是我查看了这个通孔,他是M2 TM1  V2   这个让我很迷茫。我试过了将M2 TM1 ...


image.png
 楼主| 发表于 2022-5-18 22:06:46 | 显示全部楼层


jiangrui666 发表于 2022-5-18 21:07
图1解决方法:Mn包Vn-1(n是比n-1高一个层次,如M3和V2)至少需要0.15u(没指定方向,就是任意方向),增加Mn ...


我想了一下,有可能是我导入的时候map文件不对,个人觉得将图中所有的TM1层全部换成M3 问题一应该能解决   所以直接换层有快捷方法吗?
发表于 2022-5-18 22:36:48 | 显示全部楼层


kingsl 发表于 2022-5-18 22:06
我想了一下,有可能是我导入的时候map文件不对,个人觉得将图中所有的TM1层全部换成M3 问题一应该能解决  ...


我之前没用过,不知道呢

 楼主| 发表于 2022-5-18 22:57:13 | 显示全部楼层


jiangrui666 发表于 2022-5-18 22:36
我之前没用过,不知道呢


virtuoso能只选中一层而不选中其它层吗?
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