用sentuarus仿真GaN自热效应的问题

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用sdevice仿真GaN自热效应的时候增加了Vd，热载流子效应的曲线有，但是器件的晶格温度分布变得不对了，温度的最高点跑到了下面，不知道是什么原因，求大神解答。

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边界条件：
Electrode {
        { Name="gate"   Voltage= 0 Schottky Workfunction= 4.4 }
        { Name="source" Voltage= 0 }
        { Name="drain"  Voltage= (0 at 0, 20 at 20)}
}

Thermode {
        { Name="thermal" Temperature= 300 SurfaceResistance= 0.004 }
        { Name="gate"    Temperature= 300 SurfaceResistance= 2 }
        { Name="drain"   Temperature= 300 SurfaceResistance= 2 }
        { Name="source"  Temperature= 300 SurfaceResistance= 2 }
}

李玉彬

可以看看电流分布、电场分布吗

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李玉彬 发表于 2022-4-18 22:03
可以看看电流分布、电场分布吗

我又仿了以下，直到Vd=15V都是正常的，给您看一下15V和20V的分布