SMIC.18BCD工艺高压管

white_w · 发表于 2022-3-29 19:27:37

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各位友友们，想问一下SMIC.18BCD工艺里面35V的pld35_ckt和nld35h_ckt可以按照我下面那两个管子的接法来吗

还有一个5V的管子，它的衬底是n管接地，p管接电吗

Huangshu · 发表于 2022-3-29 22:05:04

1.HVBN接局部最高电位，PEPI接局部最低电位，SUB接局部最低电位；2.不带iso的5V器件backgate只能接最低电位，要衬源短接只能选择带隔离环的。

white_w · 发表于 2022-3-30 09:32:25

Huangshu 发表于 2022-3-29 22:05
1.HVBN接局部最高电位，PEPI接局部最低电位，SUB接局部最低电位；2.不带iso的5V器件backgate只能接最低电位 ...

好的，我还想问一下，这里的局部最高点为相对于P管应该就是电源电位了，N管的最低电位应该是地电位了，但是P管的局部最低电位是这个管子的栅源漏三端口相对最低的电位，还是整个电路里面最低的地电位，以及N管的局部最高电位是这个管子的栅源漏三端口相对最高的电位，还是整个电路里面最高的电源电位，谢谢

white_w · 发表于 2022-3-30 10:04:47

Huangshu 发表于 2022-3-29 22:05
1.HVBN接局部最高电位，PEPI接局部最低电位，SUB接局部最低电位；2.不带iso的5V器件backgate只能接最低电位 ...

这样接可以吗

Huangshu · 发表于 2022-3-30 16:14:00

white_w 发表于 2022-3-30 10:04
这样接可以吗

可以，不过需要注意一下，SMIC的ldmos有些是背栅和源端短接的，好像是20V的，可以看一下model里面

white_w · 发表于 2022-4-1 10:30:38

Huangshu 发表于 2022-3-30 16:14
可以，不过需要注意一下，SMIC的ldmos有些是背栅和源端短接的，好像是20V的，可以看一下model里面
...

好的，谢谢

white_w · 发表于 2022-4-1 17:11:14

本帖最后由 white_w 于 2022-4-1 17:13 编辑

Huangshu 发表于 2022-3-29 22:05
1.HVBN接局部最高电位，PEPI接局部最低电位，SUB接局部最低电位；2.不带iso的5V器件backgate只能接最低电位 ...

这个10V的管子，如果HVBN接到AVDD的话就会报一个waring，AVDD是35V的

如果接成这样的话，局部的高电位就没有问题，正确应该是啥样的呀

ddrr · 发表于 2022-4-27 22:50:28

PDK什么版本的

white_w · 发表于 2022-4-29 10:44:58

ddrr 发表于 2022-4-27 22:50
PDK什么版本的

1.14

卢指导 · 发表于 2023-3-16 10:02:06

Huangshu 发表于 2022-3-29 22:05
1.HVBN接局部最高电位，PEPI接局部最低电位，SUB接局部最低电位；2.不带iso的5V器件backgate只能接最低电位 ...

你好请问nld40 pld40这种管子选择带隔离环iso的它的s和b能够短接来减小vth吗？

[求助] SMIC.18BCD工艺高压管