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[求助] 关于0.18um的设计方法

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发表于 2022-3-7 19:25:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
10资产
最近在做0.18um的毕业设计。
之前我学习的拉扎维的设计方法都是按照Level 1模型进行的仿真以及调参,但是现在的0.18工艺似乎出现了很多与手算结果的不匹配,比如rout。
现在我才刚开始设计,不知道我用level 1模型进行0.18um的设计可行吗,或者是需要多进行一些调整但是不需要改变设计方法?
如果必须要改变设计方法的话我会把毕设的管子长度都调整到4um之上。
多谢各位指点

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1、gm还是可以手算的(W和L不要小到影响vth,手算还是差不多的),rout基本没戏。我用的180nm工艺是bsim4.5模型(模型主要看foundry提供的是什么,也可能是bism3或者别的什么模型)。rout在bsim4.5模型里面分成了3还是4个效应的影响,然后根据哪个效应占主导,把rout分成了好几个区,模电书上学的沟道长度调制只是其中之一。 2、bsim4模型参数有几百个,显然如果level1模型能建模,这帮人也没必要搞几百个参数。 3、建议你看看foun ...
发表于 2022-3-7 19:25:32 | 显示全部楼层
1、gm还是可以手算的(W和L不要小到影响vth,手算还是差不多的),rout基本没戏。我用的180nm工艺是bsim4.5模型(模型主要看foundry提供的是什么,也可能是bism3或者别的什么模型)。rout在bsim4.5模型里面分成了3还是4个效应的影响,然后根据哪个效应占主导,把rout分成了好几个区,模电书上学的沟道长度调制只是其中之一。
2、bsim4模型参数有几百个,显然如果level1模型能建模,这帮人也没必要搞几百个参数。
3、建议你看看foundry的文档,里面有对mos的尺寸的要求,超过一定尺寸(或者节点电压超过一定值)超出了模型范围,结果会不准。举个不恰当的例子,你给Vg设置成1K V,仿真可能也能跑,但是结果完全没有意义因为现实情况是栅极估计早击穿了。(如果尺寸超出了,可能会自动报错,我不确定是不是所有foundry的pdk都有这个功能)
4、如果没超出模型范围可能你把L拉到那么大可以用level1做
发表于 2022-3-8 09:21:51 | 显示全部楼层
手工计算和实际仿真确实会有误差,因为实际管子的模型不是简单的公式就可以算出来的,但是手工计算可以告诉我们在仿真结果出来后与计算有误差,那我们应该调节那些参数来进一步优化仿真。是在知道要真么改参数再去仿真,而不是不断的仿真来靠近设计指标。我觉得这是初步学习手工计算的意义。
发表于 2022-3-8 09:36:01 | 显示全部楼层
一阶的模型在short channel情况下误差比较大吧,试试看用gm/Id或者2Id/gm的方法呢,论坛里都有教程的,仿真的结果跟手算的还是比较接近的
发表于 2022-3-8 16:52:05 | 显示全部楼层
公式提供设计方向(比如某输入相关参数与输出呈正比或反比),根据输出结果相应的调整输入达到预期目标即可。不必纠结具体值。
 楼主| 发表于 2022-3-8 17:53:09 | 显示全部楼层


MNJR 发表于 2022-3-8 09:46
1、gm还是可以手算的(W和L不要小到影响vth,手算还是差不多的),rout基本没戏。我用的180nm工艺是bsim4.5 ...


感谢您!
发表于 2022-3-8 18:05:06 | 显示全部楼层


MNJR 发表于 2022-3-7 19:25
1、gm还是可以手算的(W和L不要小到影响vth,手算还是差不多的),rout基本没戏。我用的180nm工艺是bsim4.5 ...


老哥,问一下,工艺对应的哪个模型 是在哪个文件里看的?
发表于 2022-3-9 09:37:21 | 显示全部楼层


云大大 发表于 2022-3-8 18:05
老哥,问一下,工艺对应的哪个模型 是在哪个文件里看的?


如果你的pdk是论坛或者什么地方下的,可能这些文档不全。但是你可以直接ADE的model library,看看这里用了那些文件,找到其中mosfet对应的文件,然后看模型是怎么写的,里面会有写这个mosfet是用的什么模型
发表于 2022-3-9 15:06:09 | 显示全部楼层


MNJR 发表于 2022-3-9 09:37
如果你的pdk是论坛或者什么地方下的,可能这些文档不全。但是你可以直接ADE的model library,看看这里用 ...


可以的,谢谢老哥!
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