请教smic工艺中的二端口电阻和三端口电阻区别

晬婴

小弟在学习一个smic的工艺库，里面电阻有两端口和三端口的电阻。但是我发现二者的schemtic一样，layout也只是相差了一个LVS层。以工艺库中的silicide n+ poly（rnpo）和silicide n+ poly (three terminal)（rnpo_3t）为例，
二者的schemetic一模一样：

二者的layout也仅相差了一个名叫resp3t的lvs层（下图左面是rnpo，右面是rnpo_3t），三端口的版图也只留了两个接线端：

因此两端口和三端口电阻的区别体现在了哪里？（特别是三端口电阻多的一个端口体现在了哪？）
谢谢大家！

Quinn714

要看第三端接什么电位,有可能需要单独给电阻一个阱电位

lowlife

电阻的well voltage 会影响精度 好好看书

kswlymqq

应该是多了一个衬底端口（阱电阻和衬底之间有个PN结）。这个工艺库应该是单衬底N阱工艺，所以不需要你连原理图

晬婴

   

wx148520 发表于 2022-2-1 21:52
要看第三端接什么电位,有可能需要单独给电阻一个阱电位

您好，这个是silicide n+ poly电阻，版图层里根本就没有阱的版图层,因此我感觉第三个端口应该不是体现在阱上吧，您还有别的见解吗？谢谢

晬婴

   

lowlife 发表于 2022-2-2 10:06
电阻的well voltage 会影响精度 好好看书

您好，这个是silicide n+ poly电阻，版图层里根本就没有阱的版图层,因此我感觉第三个端口应该不是体现在阱上吧，您还有别的见解吗？谢谢

balam2017

楼主调这个电阻单元出来“q”看看她的属性，你这个PDK是不是默认关闭了三端电阻的衬底那层图形？

Quinn714

   

晬婴 发表于 2022-2-5 10:43
您好，这个是silicide n+ poly电阻，版图层里根本就没有阱的版图层,因此我感觉第三个端口应该不 ...

说了可能需要单独加衬底电位 阱不在你的版图上 就像你画MOS管 也要加衬底sub吧？这个电阻第三端同样的道理 楼上也说了 你可以看一下三端电阻的属性 看有没有打开衬底的选项

晬婴

   

balam2017 发表于 2022-2-5 11:26
楼主调这个电阻单元出来“q”看看她的属性，你这个PDK是不是默认关闭了三端电阻的衬底那层图形？ ...

果然有！可不可以再向您请教一下，什么时候应该使用两端口，什么时候应该使用三端口，有什么经验和技巧吗，谢谢您！

晬婴

   

wx148520 发表于 2022-2-5 13:40
说了可能需要单独加衬底电位 阱不在你的版图上 就像你画MOS管 也要加衬底sub吧？这个电阻第三端同样的道 ...

Q一下之后果然有！可不可以再向您请教一下，什么时候应该使用两端口，什么时候应该使用三端口，有什么经验和技巧吗，谢谢您！