蒙特卡洛随机分析分析的是什么

tlsact · 发表于 2022-1-26 09:31:35

想请教蒙特卡洛分析mismatch和process，出来的直方图是指一个芯片工作时的输出可能会发生的误差，还是同一批芯片的输出可能的误差。

魔陈公仔 · 发表于 2022-1-26 09:31:36

tlsact 发表于 2022-1-26 10:44
可以理解为蒙特卡洛仿真的结果指的是，我同一个设计做出来同一个die上的东西，在同样的工作条件下的输出 ...

其实本质来讲，同一片wafer上不可能做到每一片die都是相同的，因为扩散和注入不是那么的均匀，所以会造成可能wafer中间淀积的氧化层厚一些，周围薄一些。
其实这样的制造差异，导致的结果就是同一个反相器，在同一片wafer上的不同die之间，性能不一样，有的die里，反相器可能表现为tt，有的ss，有的ff。这是process variation，也就是globale variation，全局的偏差。
但即使在同一片die上，相邻两个需要匹配的管子，可能也会不一样，比如一个运放的输入对管，我们要求是左右都要完全一样，但是制造过程中可能会有偏差，比如左边比右边大一点点的样子，这样对运放的性能也会有影响，会有Offset。这就是mismatch，也就是Local variation，局部的偏差。

一般仿运放，比较器之类的电路，仿die内的失配就好了，也就是mismatch，local variation。

acging · 发表于 2022-1-26 10:25:58

process是wafer间的变化，类似corner，同一片wafer变化是接近的。
mismatch是同一wafer下的，变化是独立的。

tlsact · 发表于 2022-1-26 10:36:09

acging 发表于 2022-1-26 10:25
process是wafer间的变化，类似corner，同一片wafer变化是接近的。
mismatch是同一wafer下的，变化是独立的 ...

我看到说mismatch是同一个die里面的variation主要影响，在同一个die里紧挨着的两个完全一样的器件其实也不会有完全一样的performance。所以我可以理解为蒙特卡洛仿真的结果指的是，我同一个设计做出来同一个die上的东西，在同样的工作条件下的输出偏差情况的模拟，而不是单单一个芯片工作时会发生的误差对吗，单个芯片工作应该是基本稳定的吧？