在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

便捷登录,只需一步

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
芯片精品文章合集(500篇!)    创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 538|回复: 9

[求助] 蒙特卡洛随机分析分析的是什么

[复制链接]
发表于 2022-1-26 09:31:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
想请教蒙特卡洛分析mismatch和process,出来的直方图是指一个芯片工作时的输出可能会发生的误差,还是同一批芯片的输出可能的误差。

最佳答案

查看完整内容

其实本质来讲,同一片wafer上不可能做到每一片die都是相同的,因为扩散和注入不是那么的均匀,所以会造成可能wafer中间淀积的氧化层厚一些,周围薄一些。 其实这样的制造差异,导致的结果就是同一个反相器,在同一片wafer上的不同die之间,性能不一样,有的die里,反相器可能表现为tt,有的ss,有的ff。这是process variation,也就是globale variation,全局的偏差。 但即使在同一片die上,相邻两个需要匹配的管子,可能也会不 ...
发表于 2022-1-26 09:31:36 | 显示全部楼层


tlsact 发表于 2022-1-26 10:44
可以理解为蒙特卡洛仿真的结果指的是,我同一个设计做出来同一个die上的东西,在同样的工作条件下的输出 ...


其实本质来讲,同一片wafer上不可能做到每一片die都是相同的,因为扩散和注入不是那么的均匀,所以会造成可能wafer中间淀积的氧化层厚一些,周围薄一些。
其实这样的制造差异,导致的结果就是同一个反相器,在同一片wafer上的不同die之间,性能不一样,有的die里,反相器可能表现为tt,有的ss,有的ff。这是process variation,也就是globale variation,全局的偏差。
但即使在同一片die上,相邻两个需要匹配的管子,可能也会不一样,比如一个运放的输入对管,我们要求是左右都要完全一样,但是制造过程中可能会有偏差,比如左边比右边大一点点的样子,这样对运放的性能也会有影响,会有Offset。这就是mismatch,也就是Local variation,局部的偏差。


一般仿运放,比较器之类的电路,仿die内的失配就好了,也就是mismatch,local variation。
回复

使用道具 举报

发表于 2022-1-26 10:25:58 | 显示全部楼层
process是wafer间的变化,类似corner,同一片wafer变化是接近的。
mismatch是同一wafer下的,变化是独立的。
回复

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2022-1-26 10:36:09 | 显示全部楼层


acging 发表于 2022-1-26 10:25
process是wafer间的变化,类似corner,同一片wafer变化是接近的。
mismatch是同一wafer下的,变化是独立的 ...


我看到说mismatch是同一个die里面的variation主要影响,在同一个die里紧挨着的两个完全一样的器件其实也不会有完全一样的performance。所以我可以理解为蒙特卡洛仿真的结果指的是,我同一个设计做出来同一个die上的东西,在同样的工作条件下的输出偏差情况的模拟,而不是单单一个芯片工作时会发生的误差对吗,单个芯片工作应该是基本稳定的吧?
回复

使用道具 举报

发表于 2022-1-26 10:36:39 | 显示全部楼层
image.png
回复

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2022-1-26 10:44:02 | 显示全部楼层


可以理解为蒙特卡洛仿真的结果指的是,我同一个设计做出来同一个die上的东西,在同样的工作条件下的输出偏差情况的模拟,比如直方图横轴在10-12mA变化,是指这个die上的不同芯片输出有的可能是10,有的可能是12,而不是单单一个芯片工作时会发生的误差的范围对吗,单个芯片工作应该是基本稳定的吧?
回复

使用道具 举报

发表于 2022-1-26 10:47:03 | 显示全部楼层


tlsact 发表于 2022-1-26 10:36
我看到说mismatch是同一个die里面的variation主要影响,在同一个die里紧挨着的两个完全一样的器件其实也 ...


是的,mismatch仿真是统计同一个wafer上所有die的分布情况。
回复

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2022-1-27 11:24:56 | 显示全部楼层


acging 发表于 2022-1-26 10:47
是的,mismatch仿真是统计同一个wafer上所有die的分布情况。


感谢

回复

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2022-1-27 11:25:51 | 显示全部楼层
回复

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2022-1-27 11:26:38 | 显示全部楼层


acging 发表于 2022-1-26 10:25
process是wafer间的变化,类似corner,同一片wafer变化是接近的。
mismatch是同一wafer下的,变化是独立的 ...


感谢回复
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

关闭

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2022-5-28 19:08 , Processed in 0.067926 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表