请教生成DDR核的问题

djqlyy2922

使用版本ISE14.6
芯片XC7K325T
问题：
我需要使用两片DDR2，
在生成DDR核时，如果选择生成2个DDR控制器，那么后续只用DDR3可选 ，不支持DDR2,所以此路不通
如果选择生成一个DDR控制器，作两次实例的话，出现很多问题，
先是不能共用一个iodelay_ctrl我在约束里设置了一下，这个错误没有了，
又出现如下错误，请问，有谁知道有没有什么好的办法吗？谢谢
Place:1500 - The component u0_ddr/u_memc_ui_top_std/mem_intfc0/ddr_phy_top0/u_ddr_mc_phy_wrapper/u_ddr_mc_phy/ddr_phy_4lanes_0.u_ddr_phy_4lanes/ddr_byte_lane_A.ddr_byte_lane_A/phaser_out belongs to a RPM (its structure is printed below) with 10 instances in the design, and there are only 4 suitable sites to place such RPMs in the device.

y23angchen

这是因为你选用的XC7K325T 只有4个ddr_byte_lane_A硬件 ，没法支持支持两个DDR控制器。

djqlyy2922

   

y23angchen 发表于 2022-1-24 11:55
这是因为你选用的XC7K325T 只有4个ddr_byte_lane_A硬件 ，没法支持支持两个DDR控制器。 ...

不能支持两个DDR控制器？？？哪可就麻烦啊，那为什么会支持两个DDR3呢？