启动电路问题

FTFCE · 发表于 2022-1-10 09:36:09

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我这里使用MOS diode想压低3.3V的电压至1.2V到INV，但是试着调整管子，压低到INV的电压一直都是在1.7v以上
请问各位大佬，我该怎么调整这一路上的管子，才能使得INV PMOS源端得到1.2V的电压

gtfei · 发表于 2022-1-10 11:06:38

通路里再加一层或两层PMOS diode

FTFCE · 发表于 2022-1-10 11:14:21

gtfei 发表于 2022-1-10 11:06
通路里再加一层或两层PMOS diode

加入PMOS diode，DC仿真

然后如果叠更多层，上面的PMOS会进入线性区，然后INV的电压还是下不去1.2V

wkp1992101 · 发表于 2022-1-10 11:24:09

我看你串了3个pmos，每一个压降Vgs=0.5V，所以再加一个就正好从1.7v降到1.2V

叫二哈的哈士奇 · 发表于 2022-1-10 13:47:47

增大L试试呢

FTFCE · 发表于 2022-1-10 14:35:35

wkp1992101 发表于 2022-1-10 11:24
我看你串了3个pmos，每一个压降Vgs=0.5V，所以再加一个就正好从1.7v降到1.2V

单纯这么做，DC仿真下还是下不去，最终还是1.7V，每个PMOS diode分掉的电压变小了

FTFCE · 发表于 2022-1-10 17:10:02

叫二哈的哈士奇发表于 2022-1-10 13:47
增大L试试呢

好像也没什么用

gtfei · 发表于 2022-1-10 18:09:15

你现在T15的PMOS把电压钳位住了没法压，办不到的，把这个T15 PMOS去掉然后上面继续串就能压下来了

gtfei · 发表于 2022-1-10 18:11:40

FTFCE 发表于 2022-1-10 11:14
加入PMOS diode，DC仿真
然后如果叠更多层，上面的PMOS会进入线性区，然后INV的电压还是下不去1.2V
...

你压下来的目的是什么？降低DC漏电流？你现在这个比直接串压到1.2V的情况降得多了（T15亚阈值，上面多个DIO PMOS串联），已经很好了啊

FTFCE · 发表于 2022-1-10 19:33:19

gtfei 发表于 2022-1-10 18:11
你压下来的目的是什么？降低DC漏电流？你现在这个比直接串压到1.2V的情况降得多了（T15亚阈值，上 ...

下部分是个反相器，用于bandgap输出1.2V时反向输出0V电压，关闭旁边的NMOS管，所以需要压下来，关闭启动电路

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