启动电路问题

gtfei

   

FTFCE 发表于 2022-1-10 19:33
下部分是个反相器，用于bandgap输出1.2V时反向输出0V电压，关闭旁边的NMOS管，所以需要压下来，关闭启动 ...

去掉T15这个PMOS照样能给后面这个NMOS GATE拉低，如果仅仅只是为了关断这个启动电路你这个结构用复杂了。不要把这个当做反相器看待，你这个结构的优势在于VBG起来了，启动电路的漏电相对较小，当然去掉T15串多个DIO PMOS也能达到同样的效果。

FTFCE

   

gtfei 发表于 2022-1-10 19:40
去掉T15这个PMOS照样能给后面这个NMOS GATE拉低，如果仅仅只是为了关断这个启动电路你这个结构用复杂了。 ...

谢谢，目前电路还有诸多问题，我先消化一下你们的回复file:///C:\Users\Administrator\AppData\Local\Temp\SGPicFaceTpBq\10624\2139B388.png

jjbzb

不存在你想要的工作点啊，你想PMOS的S跟G都等于1.2，那PMOS就相当于完全关死了，上面那串二极管就完全是0电流，他们的Vgs也必然非常非常小，就需要PMOS的S比较高，这不是矛盾的么

FTFCE

   

jjbzb 发表于 2022-1-21 23:39
不存在你想要的工作点啊，你想PMOS的S跟G都等于1.2，那PMOS就相当于完全关死了，上面那串二极管就完全是0电 ...

是的大佬，对于这个启动电路我还是没有想通，因为跟着别人的示例调的，以为那个点应该是1.2V，但其实那一块正常有1.2V的Gate电压以后，后面反向依然可以是0V关断后续的NMOS，但是后面虽然NMOS能正常关断，但启动电路接入Bandgap电路以后，工作起来会有高温情况下bandgap降低到1.15V的问题，现在也没想通该怎么找问题，启动电路不知道从何入手去改进

叫二哈的哈士奇

你把所有PMOS的栅接在一起试试

cqyzqd

我理解你应该是需要多串diode在vbg settle之后把反向器通路，也就是T18的电流降下来。跟1.2V啥的没有关系

FTFCE

   

cqyzqd 发表于 2022-1-25 15:01
我理解你应该是需要多串diode在vbg settle之后把反向器通路，也就是T18的电流降下来。跟1.2V啥的没有关系 ...

是的，后来才反应过来其实就算那里是1.8V也没事，之后NMOS栅压也会被拉低，但现在没想通为啥启动电路接入以后输出的VBG变差了，大佬有什么建议么

FTFCE

   

叫二哈的哈士奇 发表于 2022-1-25 09:08
你把所有PMOS的栅接在一起试试

启动电路就是接入的PMOS的栅极哈

cqyzqd

   

FTFCE 发表于 2022-1-25 16:49
是的，后来才反应过来其实就算那里是1.8V也没事，之后NMOS栅压也会被拉低，但现在没想通为啥启动电路接入 ...

变差是什么意思？nmos一般倒比管比例大些就行

贾郑和

你这个无论如何也不可能实现目标。VBG=1.2，假设INV PMOS源端=1.2V，意味着这条支路的电流为0，那上面的PMOS diode必然VGS=0