掩模版上面的图是要怎么画上去的，一次流片需要用几个掩模版呢？

红红的西瓜

   请问一下各位大佬，掩模版上面的图是要怎么画上去的，一次流片需要用几个掩模版呢？那么多金属层，那么多工艺步骤，是不是一个掩模版只能掩一次？还是一张掩模版已经把所有需要曝光的步骤都画了上去了？请各位大佬赐教!

pzp999555

每一层就是一个掩模版

红红的西瓜

pzp999555 发表于 2022-1-7 08:46
每一层就是一个掩模版

       感谢回复！       那再请问一下，MOS管一般都在最底下一层是吧，上面的大部分为金属，电容等。按照您的说法，如果工艺有7层的话，那就需要7个掩模版吗？并且最底下的CMOS的掩模版上的图像相对较为复杂？
       期待您的回复与指正。

XH1

百度去找找半导体制作过程   可能讲的更清楚点

红红的西瓜

XH1 发表于 2022-1-7 10:33
百度去找找半导体制作过程   可能讲的更清楚点

       好的，谢谢回答！
       查了一些，并且在看《模拟电路版图的艺术》了。

pzp999555

红红的西瓜 发表于 2022-1-7 10:03
感谢回复！       那再请问一下，MOS管一般都在最底下一层是吧，上面的大部分为金属，电容等。按 ...

7层金属代表需要7层掩模版来制作金属层，但是金属间的通孔也是需要掩模版的，你可以查看foundry提供的mos管的layout，它上面用了哪些不同的层来代表一个mos管，那些层的个数就相当于对应需要的掩模版的个数。

andy2000a

你没流过片吗??   有MT FORUM 要填多少

半导体工艺实际会很多很多道, 但有些层不是真的会出, 靠布尔运算.

实际上每多一道  MASK  ,  不但光罩费增 .  wafer 也会变贵  

如果一套  0.18um 1.8v  5v .. 只出5V 省去某些, 可更便宜.  以前就听过有些会 省钱 ,  会用寄生MOS, 别人同套要好多道, 那间只留高压MOS   低压全寄生做简单电路  省很多. 有些偷rule , 像一般联机  或 metal1 via metal2  

, 但  你可  只用一层metal1  其他MOS 用poly 当跑线 偷, 但有设计上问题  

红红的西瓜

pzp999555 发表于 2022-1-7 10:58
7层金属代表需要7层掩模版来制作金属层，但是金属间的通孔也是需要掩模版的，你可以查看foundry提供的mos ...

      感谢回答，收益良多且有助于指明我的思考方向！结合大家的回答以及版图艺术一书看了几天，目前粗略的认识：MOS管应该是在最底下一层（相对金属以及电容的位置），一种工艺在已经规定了一个晶圆上制作的各个器件的具体步骤，我们画版图只是用foundry制作的适用其生产步骤的器件版图进行绘制，一个项目电路上就MOS而言，有很多，不同宽长，但是他们都是铺在同一层，制作的时候从衬底往上，一层一层的往上“铺”，底下一大片CMOS一次成型，而从下往上的过程中，氧化多厚，光刻，刻蚀，淀积还是注入这些具体步骤都是设置已经好的，然后每个步骤之间可能需要不同的掩模板，像版图中要加的NWELL，GUARD RING等这些都在设置好的步骤中，某个地方需要的话到了做NWELL的步骤就通过对应的掩模版给你弄上去。
       对于底下MOS层按照步骤可能需要很多个对应自己某个操作（比如刻蚀，注入...）的掩模版，然后上面金属层，电容之类（本人目前不清楚电阻一般做在哪一个层，向各位大佬请教一下）的制作也分别需要对应的掩模版（刻蚀那些地方，淀积哪些地方），如您所说。
       这是本人目前的认识，必定有很多想当然的地方，不正确的地方请大家帮忙指出，理解的算是正确的地方也请大家提示!十分感谢。

红红的西瓜

andy2000a 发表于 2022-1-7 11:17
你没流过片吗??   有MT FORUM 要填多少  半导体工艺实际会很多很多道, 但有些层不是真的会出, 靠布尔运算.  ...

       十分感谢您的回答！本人目前在进行第一个流片项目，现在进入版图阶段，我很缺乏版图知识与经验，所以最近才开始学习。
       请问您说的MT FORUM是什么意思呢？然后您说的多MASK是不是比如在N阱工艺中需要做DNW，这时需要额外的MASK来做你DNW，从而增加了价格吗？再请您看看我上面的回复，指出我的问题！另外您说的从版图设计出发减小制造成本我还得学习呵呵。