求助关于LDO设计内容，求大神解答

小tutu

本人本科学生党正在做一款LDO的设计，期望输入3.3V输出可以稳定在1.8V。负载电流为0-50mA，负载电容100pF目前遇到了以下几个问题：
①对电源输入进行DC扫描范围0-4V，观察输出端电压变化，发现只有到3.2V之后电压才会稳定如图1，但是将VDD设置为3V时，观察直流工作点输出仍为稳定1.8V不知道是不是仿真方法出现了问题。
②该电路视为三级运放采用嵌套式密勒补偿 Cm1（第一级输出与功率管输出间电容）=1.5pf，Cm2=0.5pf；该系统极点满足劳斯-赫尔维茨判据，对其在1mA时进行瞬态响应，当1mA向2mA或10mA跳变时，其瞬态响应如图2，但是当1mA向40mA变化时，瞬态响应出错如图3.。该电路未加摆率增强电路，不知是否为摆率不够的原因，还请解答。
③该频率补偿虽然在负载电流＞1mA时成立。但是若负载电流为0，输出极点将进入单位增益带宽内，从而破坏相位裕度，若想将其改善就需要将Cm1变的很大（大约20-30pF）不知道有没有什么方法可以保持小电容，却能将频率补偿正常。还希望大佬们能够不吝赐教。

小tutu

   补充一句在进行第一个问题的操作时报了这个警告 不知道有没有影响 WARNING (CMI-2318): M12: Parasitic resistor `Rs' has been deleted because its value of 648 uOhm ( R / MFactor ) was smaller than `MinR'.
    WARNING (CMI-2318): M12: Parasitic resistor `Rd' has been deleted because its value of 648 uOhm ( R / MFactor ) was smaller than `MinR'.

小tutu

进行DC仿真时报了警告不知道有没有影响    WARNING (CMI-2318): M12: Parasitic resistor `Rs' has been deleted because its value of 648 uOhm ( R / MFactor ) was smaller than `MinR'.     WARNING (CMI-2318): M12: Parasitic resistor `Rd' has been deleted because its value of 648 uOhm ( R / MFactor ) was smaller than `MinR'.

yanghui100

你这个cascode补偿连接的不对建议搜一下cascode补偿，功率管下面的miller补偿意义不大，因为功率管那一级增益变化是很大的，这里推极点效果是很差的。你这里振是因为小电容负载时阻尼因子会很小导致产生共轭复极点，如果你负载电容规定100p的话不建议适用这种补偿方案，反正我做的时候外挂100nf就已经很极限了。

谷谷谷夏

负载响应那里，应该是你负载40mA的时候不稳定了吧？
频率补偿的话，有考虑下将功率那个密勒电容接到折叠型NMOS的S端那种接法吗

小tutu

   

谷谷谷夏 发表于 2021-12-8 20:16
负载响应那里，应该是你负载40mA的时候不稳定了吧？
频率补偿的话，有考虑下将功率那个密勒电容接到折叠型N ...

40mA是稳定的 那这样还会满足嵌套式密勒补偿吗 还是要重新进行整体考虑

小tutu

   

yanghui100 发表于 2021-12-8 19:48
你这个cascode补偿连接的不对建议搜一下cascode补偿，功率管下面的miller补偿意义不大，因为功率管那一级增 ...

我采用的是这种形式的补偿 ，之前连接过cascode那种 但是没有出来 可能是没学到位

任性

you need to confirm that your Phase Margin is really correct over all loading range?
why dc sweep has large negative volatge? maybe it's the simulation step problem.