最近看Sansen书第二章讲wideband amplifier提到“高频应用中不用PMOS”的说法，不是太理解

agumonx

第2章wideband amplifier页PPT，说“电路的主要优点是没有使用PMOS”；以及后面“Again only nMOSTs are used for higher frequency performance”的说法。
所谓“高频不用PMOS”是只针对此电路而言的吗？还是一种普遍结论？
我目前的理解仅仅是：在这个结构里边，NMOS换成PMOS(成反相器结构)，负载电阻从~1/gm量级增大成了~ro量级，带宽确实降低。但所有应用场景都是如此吗？
Sansen书说“Its main advantage is that no pMOSTs are used. This amplifier can achieve high bandwidths,also because the output impedance is quite small! ”这句话里边的“also”就很灵性，感觉“不用PMOS”和“输出阻抗小”是两个独立原因。还请大家分享一下经验

qluo14

看下半导体物理的书

agumonx

qluo14 发表于 2021-11-28 13:20
看下半导体物理的书

？请明示

jiaoda

P管载流子速度低，不好做高频。而且高频电路一般讲3dB带宽，不是dc增益，如果低频跟高频增益不一样，会导致带内失真，时域波形会有问题

agumonx

jiaoda 发表于 2021-11-28 15:35
P管载流子速度低，不好做高频。而且高频电路一般讲3dB带宽，不是dc增益，如果低频跟高频增益不一样，会导致 ...

就是说高频常偏置在vs区，然后PMOS vsat小的缘故？

kaikanertan

agumonx 发表于 2021-11-28 16:26
就是说高频常偏置在vs区，然后PMOS vsat小的缘故？

感觉楼上几位是想说，pmos载流子跑得慢

gongzhe1231

qluo14 发表于 2021-11-28 13:20
看下半导体物理的书

懂就说，如果实在不知道，那就请告知半导体物理第几节也行。不用用废话浪费版面，我不想在废话里翻页找有用的东西。

RFstudent

MOS管的特征频率（或称截止频率）ft与其跨导gm成正比（与MOS管电容成反比），而跨导与载流子迁移率的平方根成正比，PMOS管的载流子（空穴）迁移率约是NMOS管的载流子（电子）的迁移率的1/3

agumonx

RFstudent 发表于 2021-11-29 10:31
MOS管的特征频率（或称截止频率）ft与其跨导gm成正比（与MOS管电容成反比），而跨导与载流子迁移率的平方根 ...

我个人理解ft在单管放大时候才最有意义吧，而且ft都大几十G朝上的，按Sansen书.13都轻松到100G，实际用在高频也不会这么高吧

agumonx

我个人理解ft在单管放大时才最有意义吧，单管ft按Sansen书的说法随随便便就几十G朝上了，.13的都能上100G，实际高频应用不会这么高吧