最近看Sansen书第二章讲wideband amplifier提到“高频应用中不用PMOS”的说法，不是太理解

RFstudent

特征频率只是一个基本器件参数，不是说单管有用而在多管放大器就没有用。不可能按其特征频率的极限来使用，这时已没有增益了。况且模拟电路不像数字电路，基本不会采用最小工艺尺寸。
我认为不用PMOS而倾向于NMOS，主要是因为同等条件下NMOS优于PMOS（载流子迁移率高，特征频率高，跨导大因而增益也大）。
实际设计中满足设计要求进行取舍，若使用PMOS能满足设计要求，个人觉得也无不可。

agumonx

RFstudent 发表于 2021-11-29 16:35
特征频率只是一个基本器件参数，不是说单管有用而在多管放大器就没有用。不可能按其特征频率的极限来使用， ...

支持

JoyShockley

大概就是说PMOS 迁移率低，速度慢。
在.18或者.25工艺下，NMOS 比PMOS 快2-2.5倍。


但是先进工艺，PMOS 越来越快，如：28nm下 NMOS 快 1.3倍；

在16nm或者5nm这个两级，PMOS和NMOS 几乎一样快了。Sansen的结论也许过时了。

agumonx

JoyShockley 发表于 2021-11-29 19:37
大概就是说PMOS 迁移率低，速度慢。
在.18或者.25工艺下，NMOS 比PMOS 快2-2.5倍。

斯巴拉西，先进工艺下的PMOS速率变快是什么原因导致的？

Chanson9611

agumonx 发表于 2021-11-30 15:47
斯巴拉西，先进工艺下的PMOS速率变快是什么原因导致的？

应变硅技术