后仿PEX提取时transistor level和gate level的区别？

Razavi_319

如题所示，后仿的时候发下transistor level和gate level的仿真结果差别很大。电源对同样一个节点寄生transistor level可以达到500fF，而gate只有16fF。所以想知道一下这两个的区别。
有没有大佬具体将一下晶体管级和门级电路提取的东西具体提了哪些参数？(我们老师说transistor level可能会重复提，让我们用gate level）
还有就是gate level跑的时候需要添加hcell和xcell文件。这两个文件都代表什么意思呢？

Razavi_319

hxd们帮帮忙

Razavi_319

顶一下

xuwenwei

http://bbs.eetop.cn/thread-890461-1-1.html

Razavi_319

xuwenwei 发表于 2021-10-25 13:56
http://bbs.eetop.cn/thread-890461-1-1.html

HCELL文件和xcell文件呢

xuwenwei

Razavi_319 发表于 2021-10-25 13:59
HCELL文件和xcell文件呢

http://bbs.eetop.cn/thread-299448-3-1.html
顺便提一下 我也是刚刚在论坛里搜的 我没用过calibra

Razavi_319

xuwenwei 发表于 2021-10-25 14:05
http://bbs.eetop.cn/thread-299448-3-1.html
顺便提一下 我也是刚刚在论坛里搜的 我没用过calibra
...

那您是不是用那个star RC做的？

xuwenwei

Razavi_319 发表于 2021-10-25 15:08
那您是不是用那个star RC做的？

我的意思你可以论坛里自己搜一搜 看能不能搜到自己想要的答案
我没做过后端的