关于Process Corner的疑问

小学生哦 · 发表于 2021-9-28 11:42:17

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问题一：在生长栅氧层时，不同区域掺杂类型和掺杂浓度不同，这样氧化层的生长速度不同，势必会导致不同类型的器件（如NMOS和PMOS,如HVT/SVT/LVT）栅氧层厚度不一，Process Corner是否已经考虑这些影响？问题二：SS/FF/TT/SF/FS Corner是如何定义和划分的？划分的唯一标准是否为迁移率的快慢？
问题三：为何项目中会忽略SF/FS两种Corner的仿真？是因为cmos中两个配对的PMOS和NMOS栅氧层生长条件一致使得差别不大吗？

请路过的大神指导，感谢！

hjc19951212 · 发表于 2021-9-28 22:17:23

我感觉SF和FS尽量能跑也跑一下，有过FF和SS没事，SF出问题的情况。。。

[原创] 关于Process Corner的疑问

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