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Oxide breakdown, TDDB, Hot carrier injection, Electron Migration

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发表于 2007-12-20 16:00:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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常見到Foundry的文件(Qualification report)有在作一些Device reliability的東西

像是Oxide breakdown, TDDB, HCI and EM

有沒有人知道這些項目要怎麼測

還有就是結果代表的意思是??

謝謝
发表于 2008-5-28 20:58:02 | 显示全部楼层
这些是为了衡量产品的可靠性所进行的测试项目
测试都是通过电学加速寿命实验
具体的你可以去查MOSFET reliability相关的paper
发表于 2020-3-21 15:18:40 | 显示全部楼层
非常感谢。 我们期待着继续
发表于 2022-8-6 19:09:36 | 显示全部楼层
同求
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