1.8v bcd 大家是用哪种做 VGS clamp 电路?

andy2000a

1.8v bcd 大家是用哪种做 VGSclamp 电路?

Mos vgs=1.8v .  若一般 5v  可用zener . 但 1.8v ,  会用 mos vth 去稳 1.8v 吗?  

ericking0

ggmos/gcmos呗；
正常的工艺应该都可以用ds的breakdown来保护gate oxide的；

andyjackcao

为什么要去稳VGS呢？超压？

peterlin2010

   

For 5v BCD  

use zener 5.4v clamp gate  ?

andy2000a

   

andyjackcao 发表于 2021-9-25 18:48
为什么要去稳VGS呢？超压？

高压工艺有一般  厚 oxide cmos . 工艺 另有一种BCD高压工艺其  oxide 薄 , 但 drain耐高压 BCD , 高压CMOS 用的 dmos  拿耐压   40v cmos , vth 可能都  2~3v 才会 turn–on ,    BCD 都 LDMOS  . 因oxide 薄  MOS vth 低阿 ,  你今天设计一个  3~ 20v  电路, 只能用 BCD 做 , 用  20v  cmos ,   当 vcc在低电压 3v 下  20v mos 特性很差  ..

但BCD 因 ldmos  oxide 耐压只  3v (假设  3vBCD )  , 需电路去保护 3vmos VGS  . 但一般 zenerdiode  5.4v 太高 .  

andyjackcao

   

andy2000a 发表于 2021-10-5 10:51
高压工艺有一般  厚 oxide cmos . 工艺 另有一种BCD高压工艺其  oxide 薄 , 但 drain耐高压 BCD , 高压CM ...

可以用MOS的VTH去稳 VGS，为什么不做LDO呢？面积太大？

andy2000a

   

andyjackcao 发表于 2021-10-10 15:41
可以用MOS的VTH去稳 VGS，为什么不做LDO呢？面积太大？

为什么不做LDO呢？面积太大
=>  fast  and narrow  switch  ..switch  pulse  < 1us  , and   by  logic circuit  ..
use LDo  need very fast response  ..

and LDO  size  much more large than mos vth clamp ..