先进工艺下模拟部分电源电压VDD求解

最终守护你

我最近在研究28nm的工艺库，发现MOS管除了有0.9V的管子还有1.8V的管子，而且我发现用28nm设计的模拟电路的电压像LDO, 基准，运放，它们的电源电压VDD都还是1.8V，所以我想问问现在先进工艺库里面模拟部分的电源电压VDD还是用的是1.8V吗？我如果用数字部分的电源电压VDD=0.9V来设计的话是否可行？想问问这是有什么讲究吗？希望有大神帮忙解答一下，感激不尽

acging

可以是可以，就是0.9V下做模拟设计比1.8V困难很多。

最终守护你

   

acging 发表于 2021-9-23 13:27
可以是可以，就是0.9V下做模拟设计比1.8V困难很多。

好的，感谢感谢

ericking0

看analog ip的种类呗；
LDO/BANDGAP这种速度要求不高的当然是IO device了；
有速度要求的还是会用core device的；

peterlin2010

0.9V下做模拟设计比1.8V困难很多
=>  0.9V device   Vt 都多少拉 ..不好设计
0.35um  core=3.3

0.25um  core=  2.5v

0.18um  core=1.8v
0.11um  

90nm core= 1.2 v？？
65nm  core =?

40nm  core= ?

28nm  core= 0.9v
14nm  core = 0.8 ??
7nm  core= ??

最终守护你

   

ericking0 发表于 2021-9-24 18:52
看analog ip的种类呗；
LDO/BANDGAP这种速度要求不高的当然是IO device了；
有速度要求的还是会用core devi ...

感谢感谢

最终守护你

   

peterlin2010 发表于 2021-9-24 21:33
0.9V下做模拟设计比1.8V困难很多
=>  0.9V device   Vt 都多少拉 ..不好设计
0.35um  core=3.3

十分感谢您的回答，那我想问一下比如40nm的工艺core管子是1.1V的，但是I/O是2.5V的，那我模拟部分用I/O的管子的吗？这样VDD是不是太高了？

最终守护你

   

ericking0 发表于 2021-9-24 18:52
看analog ip的种类呗；
LDO/BANDGAP这种速度要求不高的当然是IO device了；
有速度要求的还是会用core devi ...

我还想问一下比如40nm的工艺core管子是1.1V的，但是I/O是2.5V的，那我模拟部分用I/O的管子的吗？这样VDD是不是太高了？

ericking0

   

最终守护你 发表于 2021-9-24 22:35
我还想问一下比如40nm的工艺core管子是1.1V的，但是I/O是2.5V的，那我模拟部分用I/O的管子的吗？这样VDD ...

没搞懂你啥意思，用IO device，用2.5V电源域，功耗不划算？

最终守护你

   

ericking0 发表于 2021-9-25 19:22
没搞懂你啥意思，用IO device，用2.5V电源域，功耗不划算？

这个2.5V指的是电源域吗？我一直以为的是VDD只能给2.5V，管子的模型才比较准确