I/O pad处连接diode形式的二极管，出现的闩锁问题怎么解决

drivesource · 发表于 2021-9-21 19:36:28

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drivesource · 发表于 2021-9-21 19:39:47

纠正标题描述：I/O pad处连接diode形式的ESD保护器件，出现的闩锁问题怎么解决

musclerush · 发表于 2021-9-22 08:38:49

你这张图是不是不太对啊，二极管反偏卸放一般正极要接到地吧，你这样3个pad电位有很大风险短路；至于闩锁问题你把两二极管间距拉开（增大寄生三极管基极间距），就会解决。

adhylin · 发表于 2021-9-22 08:54:31

赞一下

drivesource · 发表于 2021-9-22 09:51:50

musclerush 发表于 2021-9-22 08:38
你这张图是不是不太对啊，二极管反偏卸放一般正极要接到地吧，你这样3个pad电位有很大风险短路；至于闩锁问 ...

我的版图按照电路图画的，p接地，n接高电平，上下二极管各有3个同样的diode并联，这种形式不对么？我试了下拉开二极管间的距离后，那个闩锁问题还是没有解决

musclerush · 发表于 2021-9-22 10:52:14

drivesource 发表于 2021-9-22 09:51
我的版图按照电路图画的，p接地，n接高电平，上下二极管各有3个同样的diode并联，这种形式不对么？我试了 ...

你开下N型和P型注入图层、源区图层、N阱图层截下图看看，N型注入源区和N阱间距、P型注入源区和包围N阱边缘间距试着再拉大一点再看看，pad连接的注入源区往往和其他注入间距会非常大（.18工艺的一般会拉到30以上）

大力射门 · 发表于 2021-9-22 11:32:03

东部有的工艺，VDD/VSS POR上要加另一个label，text属性的

sming薇 · 发表于 2021-9-22 12:38:12

怎么设置DRC可以报出闩锁效应呢

终章0000 · 发表于 2021-10-9 16:17:30

sming薇发表于 2021-9-22 12:38
怎么设置DRC可以报出闩锁效应呢

应该command file 里面有option

Crazyfeng. · 发表于 2021-10-13 16:25:59

用P ring 做loop隔离就好了

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