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[原创] I/O pad处连接diode形式的二极管,出现的闩锁问题怎么解决

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发表于 2021-9-21 19:36:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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 楼主| 发表于 2021-9-21 19:39:47 | 显示全部楼层
纠正标题描述:I/O pad处连接diode形式的ESD保护器件,出现的闩锁问题怎么解决
发表于 2021-9-22 08:38:49 | 显示全部楼层
你这张图是不是不太对啊,二极管反偏卸放一般正极要接到地吧,你这样3个pad电位有很大风险短路;至于闩锁问题你把两二极管间距拉开(增大寄生三极管基极间距),就会解决。
发表于 2021-9-22 08:54:31 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2021-9-22 09:51:50 | 显示全部楼层


musclerush 发表于 2021-9-22 08:38
你这张图是不是不太对啊,二极管反偏卸放一般正极要接到地吧,你这样3个pad电位有很大风险短路;至于闩锁问 ...


我的版图按照电路图画的,p接地,n接高电平,上下二极管各有3个同样的diode并联,这种形式不对么?我试了下拉开二极管间的距离后,那个闩锁问题还是没有解决




发表于 2021-9-22 10:52:14 | 显示全部楼层


drivesource 发表于 2021-9-22 09:51
我的版图按照电路图画的,p接地,n接高电平,上下二极管各有3个同样的diode并联,这种形式不对么?我试了 ...


你开下N型和P型注入图层、源区图层、N阱图层截下图看看,N型注入源区和N阱间距、P型注入源区和包围N阱边缘间距试着再拉大一点再看看,pad连接的注入源区往往和其他注入间距会非常大(.18工艺的一般会拉到30以上)
发表于 2021-9-22 11:32:03 | 显示全部楼层
东部有的工艺,VDD/VSS POR上要加另一个label,text属性的
发表于 2021-9-22 12:38:12 | 显示全部楼层
怎么设置DRC可以报出闩锁效应呢
发表于 2021-10-9 16:17:30 | 显示全部楼层


sming薇 发表于 2021-9-22 12:38
怎么设置DRC可以报出闩锁效应呢


应该command file 里面有option
发表于 2021-10-13 16:25:59 | 显示全部楼层
用P ring 做loop隔离就好了
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