POR上电复位process阈值变化很大求解

Analog_2020

采用下图这种POR上电复位结构，电源上电大于两个二极管的Vth后，Nmos翻转产生复位脉冲信号；再经smit整形脉冲输出POR复位信号。

采用此结构用于1.5V电压阈做POR，all process下（电源1.5V±10%；-45℃--125℃；ss ff sf fs tt conner）目标阈值范围650mV -- 1.1V；复位后整体功耗50nA；
阈值变化主要体现在虚线框中第一段电源检测延时部分，经过调整仿真，由于该工艺角下MOS阈值范围变化很大（主要体现在MOS电容变化，二极管分压特性变化，翻转管阈值变化），慢上电（20mS上电）过程中，在ff+125℃下翻转阈值仅为400mV，ss-45℃下翻转阈值达到1.3V；
请问大神们，有什么好的办法能处理收窄阈值变化范围吗？考虑过用低功耗BG+COMP结构，但功耗过大没选择；或许有什么好的结构吗?欢迎大家发表见解！！ 感谢！！

Analog_2020

顶一个  望大哥门帮忙看看

trumen

这种结构阈值受PVT影响很大，所以要做输出延迟，理论上延迟足够长时认为VDD已经稳定了。

wjx197733

这种结构就是像楼主说的那样，随pvt变化很大。
基于带隙结构的POR在随工艺角变化这方面比较靠谱。

a104842708

wjx197733 发表于 2021-9-17 21:54
这种结构就是像楼主说的那样，随pvt变化很大。
基于带隙结构的POR在随工艺角变化这方面比较靠谱。 ...

POR 为什么需要PVT下保持一定呢？ POR时间早一点和晚一点对系统影响重要吗？

acging

a104842708 发表于 2021-9-18 09:21
POR 为什么需要PVT下保持一定呢？ POR时间早一点和晚一点对系统影响重要吗？
...

看系统能不能接受了。
一般POR在PVT下变化是比较大的。

Analog_2020

a104842708 发表于 2021-9-18 09:21
POR 为什么需要PVT下保持一定呢？ POR时间早一点和晚一点对系统影响重要吗？
...

重要的，复位电压太低，太早复位没法起到复位效果，对于内部电源供电通常是LDO，上电时间较快，可以通过增加延迟时间来改善，但在慢上电时复位电压太低，会过早产生错误复位信号。
通过增加复位电压过高，电源稍微掉电复位信号就会产生变化，或者电池电压低的时候，复位也会失效。

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wjx197733 发表于 2021-9-17 21:54
这种结构就是像楼主说的那样，随pvt变化很大。
基于带隙结构的POR在随工艺角变化这方面比较靠谱。 ...

感谢回复！看来试试只有采用BG比较器的类型了。

Analog_2020

acging 发表于 2021-9-18 09:30
看系统能不能接受了。
一般POR在PVT下变化是比较大的。

主要是这个工艺变化太大了。想收紧点，但是这种结构好像做不到

a104842708

Analog_2020 发表于 2021-9-18 09:40
重要的，复位电压太低，太早复位没法起到复位效果，对于内部电源供电通常是LDO，上电时间较快，可以通过 ...

嗯嗯，不过只要足够延迟就可以了吧？