calibre n33ll_dnw_ckt寄生电容抽取出来非常大

peso_h

各位专家，我在用calibre抽取两个w/l=0.25um/20um串联的nmos(n33ll_dnw_ckt)寄生电容时，发现gate到中间串联节点电容有近200fF.于是做了个实验
1. 创建两份相同电路sch1,sch2



2. 版图中sch1两个管子上下放，sch2两个管子左右放，如下图

3. 部分calibre设置以及hcell/xcell文件如下：

4. 寄生电容抽取结果如下：

5. 异常是：gate到m_ser节点电容有190fF,到其他节点都是几个fF.譬如到m_par节点，不到1fF.而sch1/sch2电路完全相同，只是版图画法不同，但这也不至于导致差别这么大。我认为是什么地方不对，把寄生电容提错了。
有遇到过类似情况的朋友吗？有可能是哪里弄错了呢？

spartan313

我有试过用 use names from Layout; 还可以是一下输出格式选spef;

spartan313

你这个看着像smic家的

peso_h

geo24 发表于 2021-9-8 16:34
我有试过用 use names from Layout; 还可以是一下输出格式选spef;

“use names from Layout”是产生calibre view时候的选项把？我没做这一步，抽取完用start rve看寄生很大
试了输出格式spef，结果一样

peso_h

geo24 发表于 2021-9-8 16:35
你这个看着像smic家的

是的 是他家

lodestar6666

DRC和LVS过了吗？版图看的不是很清楚，怎么感觉你没画衬底连接啊

lilinyu0906

重复提取了，需要写xcell

peso_h

lodestar6666 发表于 2021-9-8 23:38
DRC和LVS过了吗？版图看的不是很清楚，怎么感觉你没画衬底连接啊

原版版图DRC LVS都过了，这个版图是我用来重现问题，随手画的，只连结了nmos的body端到地

peso_h

lilinyu0906 发表于 2021-9-9 08:56
重复提取了，需要写xcell

写了xcell了哈，附件中有截图。难道写的不对？

spartan313

peso_h 发表于 2021-9-8 16:56
“use names from Layout”是产生calibre view时候的选项把？我没做这一步，抽取完用start rve看寄生很大 ...

不是的 是calibre outputs那个选项里的，选完以后 生成 extracted view 也要选成from layout