xcell要把你用到的这个mos管的名字写入。
它的原理不是重复提取的问题，而是gate到source/drain的寄生电容已经在spice model中考虑过了，因此要减去这个电容。
具体的解释，可以看：
网易云课堂： 手机扫一扫：
RCX Runset培训1：
寄生参数提取的三维和准三维基本原理是什么？为什么准三维的精度有误差？
如何描述工艺的cross view的截面图？
3种主流寄生参数提取工具的工艺描述格式介绍。
如何运行3种主流寄生参数提取工具？
本课程提供了与培训内容相对应的运行实例，学员可以联系课程最后一页的邮箱来下载用例。
RCX Runset培训2：
如何验证寄生参数提取的Runset是否准确？
Beol的test pattern是什么结构？组合参数有哪些？精度如何比较？
Meol的test pattern包含了哪些器件？如何通过pcell自动生成这些pattern? 如何分析忽略内部电容和不忽略内容电容的结果？
如何通过自动化的软件进行寄生参数精度分析？
本课程提供了与培训内容相对应的运行实例，学员可以联系课程最后一页的邮箱来下载用例。
RCX Runset培训3：
一个典型的模拟电路例子，通过不同的准三维工具和三维工具进行提取，误差达到了30%，该如何分析这些误差？
如何避免由于LVS layer的图形overlap定义导致的寄生参数重复提取的问题？
Conformal结构描述犯错的一个典型用例。
由于没有忽略器件内部寄生电容导致结果不准确的典型用例。
5个corner中，RCbest, RCworst的具体含义。
先进工艺中11个corner中的CCworst, CCbest的具体含义。
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RCX Runset培训4：
如何在版图中直观看到每个寄生参数线网的所有图形？
如何通过图形直接看到它对应的寄生参数？
如何分析版图中距离比较近的图形的预估耦合电容是否与提取结果吻合？
Vgds工具如何自动实现上述功能？如何使用该工具的上述功能？
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RCX Runset培训5：
什么是3D IC， 什么是TSV? 晶圆堆叠的典型应用图示。
主流工具在针对TSV寄生参数提取时的3个弱点，如何克服？
单个TSV的寄生电容如何考虑耗尽层导致的不同电压下电容值不同？
多个TSV的寄生电容如何快速通过场求解器计算？
多个晶圆提取出的网表如何自动合并？什么是基于线网名的合并？什么是基于晶体管提取的坐标合并？二者应用背景是什么？
针对多个晶圆堆叠的典型计算案例分析。
三维堆叠寄生参数提取全流程总结，解决了主流EDA工具不能解决的弱点，实现了国产EDA工具自主可控。
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发表于 2021-9-9 22:20:04
