0.18um工艺poly-efuse问题

bob23456

采用国内0.18um工艺自行设计的poly-efuse结构（32*8bit）（不是工艺厂提供的，工艺厂没有提供efuse）。
熔丝W=0.18um，L=1.08um，大概40欧姆左右。
烧写熔丝电源采用3.3V，电流50mA左右，脉冲宽度1us。
读取电路分时共用（电阻判定值5K，大于5K输出高）。

现在投片出来大部分芯片读取烧写正常，有一部分烧写异常。烧写异常的芯片多次烧写后读取正常，还有一小比例烧写不成功。

分析原因可能是上电时或读取熔丝时有几百uA的电流流过熔丝，导致熔丝阻值变大但又小于5K。阻值变大的熔丝再烧写就比较难烧了。
读取熔丝的偏置电流只有2uA，但是读取电路某节点上因为挂了256个（熔丝和选择开关管），所以寄生电容比较大。
从烧过熔丝的一位切换到下一位没烧过熔丝位时产生电压差，瞬间释放几百uA的电流（仿真来看从1M阻值烧写熔丝位切换到40欧姆没烧写过的熔丝位
有小于200uA以内的瞬间电流）。

请问各位大神0.18um工艺poly-efuse采用多大W值能挺过500uA以下的瞬间电流（几十ns时间），熔丝阻值不怎么变化。

熔丝版图如下：

Reika

请问你跑LVS是怎么跑的呢，自己写cdl吗？