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查看: 3752|回复: 7

[求助] 拼版图时,在边角处的sealring需要切一个角吗?

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发表于 2021-8-18 13:09:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
50资产
TSMC提供的sealring GDS模板四个边角处都不是空白的 请问与其他芯片拼总体版图时,在边角处的sealring需要切除一个角吗?需要切的话如何切 ?因为如果需要切的话,我的DRC会报很多sealring的错误。

发表于 2021-8-18 14:50:10 | 显示全部楼层
TSMC提供的Sealring都是不切的  但是其他的FAB好多也切了45度角
TSMC还要求Sealring Floating呢 你们是否执行了?
DR都是一些保守的东西 难道所有LUP rules都符合了?
Sealring这里无非因为切斜角引入 VIA CONT的错误而已
发表于 2021-8-18 15:02:18 | 显示全部楼层
上图来看看
发表于 2021-8-23 14:18:09 | 显示全部楼层
看到有的厂家design rule,大芯片需要切角,而小的不用
另外想知道ESD path是否可以借用seal ring的metal.
 楼主| 发表于 2021-8-23 14:37:10 | 显示全部楼层


isaachdy 发表于 2021-8-18 14:50
TSMC提供的Sealring都是不切的  但是其他的FAB好多也切了45度角
TSMC还要求Sealring Floating呢 你们是否 ...


1.是的 我看TSMC提供的guardring边角处并没有拐弯 切除guardring一个角的话就会有很多通孔之类的错误 我觉得是不是可以在拼总体芯片版图时 边角处的guardring不需要切?因为那样也不会报什么DRC的错误。2.sealring我是悬空的 也没有接地 感觉也没有要接地
3.sealring的边角处要是不切除的话 就没有DRC的错误
发表于 2021-8-23 15:03:09 | 显示全部楼层


pph_cq 发表于 2021-8-23 14:18
看到有的厂家design rule,大芯片需要切角,而小的不用
另外想知道ESD path是否可以借用seal ring的metal. ...


“ESD path是否可以借用seal ring的metal. ”想表达的是什么?
发表于 2021-8-23 15:49:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 pph_cq 于 2021-8-23 15:53 编辑


yfanny1980 发表于 2021-8-23 15:03
“ESD path是否可以借用seal ring的metal. ”想表达的是什么?


ESD的地线如果借用sealring不是可以省面积吗,但是很多design rule里seal ring和内部的metal是不能接在一起的,还要有个不小的间距,这是为什么?实际上我们做的项目都是借用了seal ring的metal.
发表于 2021-8-26 08:56:07 | 显示全部楼层


326098324 发表于 2021-8-23 14:37
1.是的 我看TSMC提供的guardring边角处并没有拐弯 切除guardring一个角的话就会有很多通孔之类的错误 我 ...


FAB不接电位的原因是怕切芯片的时候边崩掉。用底层金属接一下还OK,45度角VIA错误还OK,我们都Waive的。
这个东西,没有人会给确定的答案的,大家都不想担风险。
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