有人用3.3V device來作5-6V的charge pump circuit嗎?

spice

原帖由 hgp264721 于 2007-12-20 20:24 发表

                               
登录/注册后可看大图

oxide Reliability  ?? how to stack

权当是抛砖引玉吧,我给一个用1.8V mosfet 做3.3v的基本电路. 出了这个以外,你还需要一个level shifter,把你的0v-1.8v的输入变成1.5v-3.3v,作为pmos的输入.这样的level shifter应该蛮多的.

不管怎么样,mosfet的四个脚,两两之间都不要超过工艺的标称电压.

同意楼上的,reliability is always #1...

spice

对了,我觉得这个电路挺慢的,你可以考虑一下把它给优化一下.

mousemao

我见过
在TSMC013G工艺上用charge pump将3.3V升到5V

lu8169

只要VDS電壓沒超過
應該都是OK

spice

原帖由 lu8169 于 2008-1-2 19:47 发表

                               
登录/注册后可看大图

只要VDS電壓沒超過
應該都是OK

我觉得: Vgb, Vsb and etc ... 都不能超过的.呵呵.

lalajie

加上(或是減少) 一曾MASK層這樣就可以增加OUT RES,
但不知道能不能抗高壓, 可能要問一下製程廠了

piao

floating well 的工艺是解决方法。
上面的判断方法也对，可是后面的负载电路能受得了吗？？

谢谢

simufox

就我自己知道，如果只是要在平常的條件下，操作到5V，應該是沒問題的，所以我的重點一直是放在Reliability的問題上，也就是說當我們IC做出來之後，會再高溫高壓下操作一段長的時間，這我就不知道這種3.3V的元件是不是沒問題了!謝謝!

semico_ljj

有真的流片后试过的么？特别是经受过高温高湿的你？

kevin_h

回复 9# simufox

两个mos电容stack起来。注意initial中间点的电位。