有人用3.3V device來作5-6V的charge pump circuit嗎?

simufox · 发表于 2007-12-18 14:18:21

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有人用過VIS 0.35um 3.3V mixed mode process

來作5-6V的charge pump circuit嗎?

會不會有oxide Reliability的問題啊?

saber_haijun · 发表于 2007-12-18 17:03:13

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kckc99 · 发表于 2007-12-18 22:51:08

我见过

spice · 发表于 2007-12-19 10:14:17

可以试试把mosfet stack起来,或者用floating nwell.只是见过用1.8V的mosfet做3.3V的电路...

rfjungle · 发表于 2007-12-19 22:12:25

two voltage limit: gate breakdown and S/D breakdown. In geneal, that voltage is over 7V in 0.35um CMOS process.

simufox · 发表于 2007-12-20 14:54:46

基本上問foundry端的工程師

他們給的答案都是很保守的

就是超過3.6V就不保證reliability的問題啦

所以也只能問問看有沒有人作過會不會陣亡

jjchun · 发表于 2007-12-20 17:02:28

i saw someone did it, but need special design technique

hgp264721 · 发表于 2007-12-20 20:24:31

oxide Reliability ?? how to stack

simufox · 发表于 2007-12-21 10:29:37

對啊對啊

MOS怎麼疊可以增加oxide耐壓能力

有人發表過paper嗎?

piao · 发表于 2007-12-23 20:42:00

网上有类似的论文的。

对于reliabilty 方面的问题，我个人认为可以通过floating well的技术实现，这种工艺不知是不是很难？

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saber_haijun saber_haijun 当前离线积分 1573 IP卡狗仔卡头像被屏蔽	发表于 2007-12-18 17:03:13 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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