Memory的shutdown模式

ime · 发表于 2021-8-6 16:56:40

本帖最后由 ime 于 2021-8-6 17:02 编辑

ClancyLee 发表于 2021-8-6 15:34
这个buf很奇怪，外面我给进来的shutdown_en信号接到了SRAM的SD端口，是高电平，过了buf之后是SD_i依然是高 ...

好奇问下：假如SRAM是常开的，靠SD内部关断。那你的shutdown_en信号应该是控制PD_Rocket的？，那么一使能PD_Rocket到SRAM的控制信号不就掉电通不了吗？（PowerMap里面你标虚线的信号是控制SRAM的吧）
还是说shutdown_en只控制SRAM？

ClancyLee · 发表于 2021-8-6 17:08:44

本帖最后由 ClancyLee 于 2021-8-6 17:18 编辑

ime 发表于 2021-8-6 16:56
好奇问下：假如SRAM是常开的，靠SD内部关断。那你的shutdown_en信号应该是控制PD_Rocket的，那么一使能PD_ ...

shutdown_en只管SRAM的控制，不会控制Rocekt电压域的下电；power map的那个虚线没有特别想表达的含义，不过也可以把它的信号report出来；
Shutdown_en从顶层的pmu过来的，接到Rocket模块之后，会一层一层穿通到SRAM的SD端口， SRAM进入shutdown模式之后，经过buf的那些信号都成了X态，确实是合理的。但是在退出Shutdown模式的时候，仿真模型又要求BIST_i需要提前设置为低，iCEB设置为高，这要怎么做到？

ClancyLee · 发表于 2021-8-6 17:24:15

ime 发表于 2021-8-6 16:56
好奇问下：假如SRAM是常开的，靠SD内部关断。那你的shutdown_en信号应该是控制PD_Rocket的？，那么一使能P ...

另外，power map上比较奇怪的地方是：有两条从PD_TOP接过来的线，一个是我自己从pmu给出来的shutdown_en，另外一个是SD信号，这里为什么有两个，，，一直没想明白

ClancyLee · 发表于 2021-8-6 17:29:54

ime 发表于 2021-8-6 15:04
我不带upf放过，CEB和CEB_i就是一个buffer关系。不会有叉态。

我怀疑你们用同一个power_down控制信号， ...

不带upf的仿真，buf可以正常穿过信号

ime · 发表于 2021-8-6 19:54:35

不带upf能通，说明不是sram接口逻辑问题啊。。。
把upf电源拉出来看看是不是都上电了，那个post-switch vdd也看看。。。
还有把clp检查做了再仿upf
其他的想不到了

ClancyLee · 发表于 2021-8-7 10:09:06

ime 发表于 2021-8-6 19:54
不带upf能通，说明不是sram接口逻辑问题啊。。。
把upf电源拉出来看看是不是都上电了，那个post-switch vdd ...

power_switch的电源线是VDDLS在shutdown_en拉低（退出shutdown模式）之前已经上电了

师兄，前端这边做低功耗设计的流程大概是个什么顺序？这个CLP的检查我之前没做，低功耗也是第一次做，烦请师兄赐教

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