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[求助] Memory的shutdown模式

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发表于 2021-8-5 22:00:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位前辈,请教一个问题,做带upf的前仿,设计里面用到了memory macro。在memory的仿真模型verilog里面,CEB会经过一个buf到CEB_i ,在让memory进入shut down mode时,使能信号CEB有信号值是高电平,但是CEB_i却变成了X不定态,导致我在退出Shutdown mode的时候,verilog的仿真模型里面会报一条log说我在退出shutdown的时候,CEB是X态因而是不正确的顺序。这个log在仿真模型里面是检查CEB_i这个信号来报出来的。为什么顶层的port上的CEB有值,里面却变成X呢?这个问题在进入shutdown的时没事,但是退出shutdown的时候,要怎么解决呢?

memory的仿真模型

memory的仿真模型

进入shutdown mode的仿真波形

进入shutdown mode的仿真波形

warning信息

warning信息

退出shutdown mode的波形

退出shutdown mode的波形
 楼主| 发表于 2021-8-5 22:01:35 | 显示全部楼层
各位大佬帮帮忙,卡了好久了,多谢多谢
发表于 2021-8-6 11:46:21 来自手机 | 显示全部楼层
你推出shutdown模式的时候,外面ceb是高电平吗?
发表于 2021-8-6 13:25:52 来自手机 | 显示全部楼层
本帖最后由 ime 于 2021-8-6 13:29 编辑

你是带upf仿真的吗?是不是把sram的VDD也掉电了了,导致内部ceb_i x了?
 楼主| 发表于 2021-8-6 14:43:59 | 显示全部楼层


ime 发表于 2021-8-6 11:46
你推出shutdown模式的时候,外面ceb是高电平吗?


是高电平。这个mem有两种模式,一种是普通模式,一种是BIST模式,由外面的CEB和CEBM信号分别控制使能,模式的选择是依据BIST是高点平还是低电平来选择其中的一种。我们现在用的BIST=0, 也就是选择的是普通的功能。外面的BIST= 0, CEB = 0 ,进来mem之后,会经过buf primitive: buf(BIST_i, BIST), buf (CEB_i, CEB), 分别变成了 BIST_i 和 CEB_i, 然后仿真模型里面会判断BIST_i ,现在BIST_i 也变成了X态,所以,iCEB这个信号就成了X态

BIST_i 是 X !!!

BIST_i 是 X !!!

mem的pin脚描述

mem的pin脚描述

iCEB的多选

iCEB的多选

Warning报出来的语句块

Warning报出来的语句块
 楼主| 发表于 2021-8-6 14:46:33 | 显示全部楼层
本帖最后由 ClancyLee 于 2021-8-6 14:53 编辑


ime 发表于 2021-8-6 13:25
你是带upf仿真的吗?是不是把sram的VDD也掉电了了,导致内部ceb_i x了?


是带upf的仿真,SRAM的电源没有断掉,一直供着。在把SD拉高进入shutown mode的时候,里面的CEB_i就会变成X。我在5楼加了一些图,麻烦看一下。这里会用BIST_i选择CEB_i或者CEBM_i,我们的本意是用CEB_i赋给iCEB的,但是现在BIST经过那个buf的primitive也变成了X态,所以多选逻辑里面出来的iCEB是X态

mem的供电

mem的供电
发表于 2021-8-6 15:04:06 | 显示全部楼层


ClancyLee 发表于 2021-8-6 14:46
是带upf的仿真,SRAM的电源没有断掉,一直供着。在把SD拉高进入shutown mode的时候,里面的CEB_i就会变成X ...


我不带upf放过,CEB和CEB_i就是一个buffer关系。不会有叉态。

我怀疑你们用同一个power_down控制信号,把SRAM的VDD关闭了(UPF的作用)
试试:
方法一:不带upf仿,看看CEB_i还会不会叉态;
方法二:你确认upf里面把SRAM的VDD通过connect_supply_net连到Always On VDD。
发表于 2021-8-6 15:24:52 | 显示全部楼层
一看就是tsmc的memory啊  
 楼主| 发表于 2021-8-6 15:34:33 | 显示全部楼层
本帖最后由 ClancyLee 于 2021-8-6 15:42 编辑


ime 发表于 2021-8-6 15:04
我不带upf放过,CEB和CEB_i就是一个buffer关系。不会有叉态。

我怀疑你们用同一个power_down控制信号, ...


这个buf很奇怪,外面我给进来的shutdown_en信号接到了SRAM的SD端口,是高电平,过了buf之后是SD_i依然是高电平。这个buf是有效的,但是其他的像CEB经过buf之后的CEB_i就成了叉态,BIST经过buf之后也成了叉态。SRAM在逻辑上是Rocket的子模块,Rocket是会关掉的,但是SRAM的供电和顶层是一样的,为0.9V,且为常开。
第一种方法,正在仿
第二种方法,upf确认了;从power map上看,SRAM和TOP的供电也一致,没有power switch关断

设计的power map

设计的power map

电压域示意图

电压域示意图
 楼主| 发表于 2021-8-6 15:37:40 | 显示全部楼层


soc2012 发表于 2021-8-6 15:24
一看就是tsmc的memory啊


前辈遇到过这个问题吗?
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