有谁做过GF 40nm制程呢？上来说说遇到的问题吗？

大江南北

GF 40nm制程，目前画了几个版图，感觉问题特别多，design也没有太多的建议？
疑问如下：
1.GF 40nm制程有MIN DRC rule及推荐DRC rule，为了满足DFM，foundry都建议用推荐DRC rule,但是问题就多了
比如电阻：设计时本来是下图上面的一个小电阻1.3K，一改为推荐RULE，它就变成下图大的电阻25K，且不能更改，头疼了！

大江南北

只有一用到推荐RULE，DRC的错误特别多，有的来自PDK本身

FOREVER10

跟design 核实啊，真的要这个尺寸，design要负责任的。最后DRC WAVE掉。

haydnzhang

FOREVER10 发表于 2021-7-27 10:11
跟design 核实啊，真的要这个尺寸，design要负责任的。最后DRC WAVE掉。

我们做过GF， 推荐的 DRC RULE 没有理它。TAPOUT 芯片回来是ok.

FOREVER10

haydnzhang 发表于 2021-7-27 10:18
我们做过GF， 推荐的 DRC RULE 没有理它。TAPOUT 芯片回来是ok.

是的，对一个工艺有经验，也熟悉的话，的确很多可以不理.wave掉。

cliff123

推荐的尽量满足就可以了，不可以的找设计确认，直接

zlun1987

GF40 电阻RNPPO_LP 测试了下，1.5K  use design rules  由MINI改成DFM ，并没有你的这个变的很长情况出现

大江南北

zlun1987 发表于 2021-7-27 11:27
GF40 电阻RNPPO_LP 测试了下，1.5K  use design rules  由MINI改成DFM ，并没有你的这个变的很长情况出现 ...

我的是这种电阻OP P+ poly resistor

大江南北

zlun1987 发表于 2021-7-27 11:27
GF40 电阻RNPPO_LP 测试了下，1.5K  use design rules  由MINI改成DFM ，并没有你的这个变的很长情况出现 ...

我的是这种电阻OP P+ poly resistor

大江南北

haydnzhang 发表于 2021-7-27 10:18
我们做过GF， 推荐的 DRC RULE 没有理它。TAPOUT 芯片回来是ok.

但是foundry建议用推荐RULE，只有用推荐RULE才能过DFM啊

你们不需要DFM singoff 吗？