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楼主: Calvin_Fang

[讨论] DIFF和P/N PLUS的区别

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发表于 2022-1-12 11:38:12 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2021-7-25 13:04
你好,

请你认真辨析这几个概念:


记得我也提问过这个概念,当时有很多人喷我,哈哈,我觉得你说的对,diff在管子的源漏就是一个氧层的开口,此外在POLY下就是栅氧层;在生产过程中不管是开口还是栅氧都是用一个mask来制作的。
发表于 2022-2-28 16:51:00 | 显示全部楼层
学习了,感谢~
发表于 2022-3-5 11:49:10 | 显示全部楼层
个人理解是有源区注入只是调节P/N type的一种方式,当进行源漏注入时,Gate已经形成,天然阻隔了对沟道的影响。最终就是SD的多子掺杂程度远远大于沟道下方的多子浓度,当栅压变化时,会在沟道区域形成强反型层,从而载流子可以形成SD的电流。
发表于 2022-7-11 23:04:18 | 显示全部楼层
原问题中,“有源区其实就是p注入形成的”,这个不太准确。画pmos时,要画有源区和p注入区,这个应该是对的。个人理解,应该是指 p+=pSelect ∩ Active ∩ nWell吧。掩膜组就会有3个框了。
发表于 2022-7-12 08:28:15 | 显示全部楼层


Calvin_Fang 发表于 2021-7-25 12:12
有源区不是用来形成源漏的么,如果要做PMOS的话,那不就得P注入么?其实我想问的是,版图上的DIFF和PPLUS ...


现在的主流工艺大多都是STI工艺,也叫前沟槽隔离工艺,diff就是有源区,要做mos器件注入或者二极管,三极管,电阻注入的区域,但这个diff主要不是用来注入用的,而是形成STI区域mask的基础区域,没有diff的地方全是sti,也就是SIO2区域,后续的工艺步骤P/N+是用来做离子注入mask的基础layer,源漏的离子注入能量很低浓度很高,没办法穿越SIO2,只能在DIFF区域形成注入,希望可以帮到你。
发表于 2022-8-28 12:06:41 | 显示全部楼层
想请教下大家,NWELL 和 NPLUS 两层mask 的在工艺上的具体操作是怎么样的?比如画一条ntap  里面既有nplus  也有nwell
发表于 2022-8-28 13:48:52 | 显示全部楼层
謝謝分享
发表于 2022-9-5 10:10:12 | 显示全部楼层
学习到了
发表于 2022-9-5 10:19:15 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2023-12-5 14:51:28 | 显示全部楼层
二楼太强了,很全面,学习学习
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