DIFF和P/N PLUS的区别

tfjim · 发表于 2022-1-12 11:38:12

yanpflove 发表于 2021-7-25 13:04
你好，

请你认真辨析这几个概念：

记得我也提问过这个概念，当时有很多人喷我，哈哈，我觉得你说的对，diff在管子的源漏就是一个氧层的开口，此外在POLY下就是栅氧层；在生产过程中不管是开口还是栅氧都是用一个mask来制作的。

smile1215 · 发表于 2022-2-28 16:51:00

学习了，感谢~

及时雨_ · 发表于 2022-3-5 11:49:10

个人理解是有源区注入只是调节P/N type的一种方式，当进行源漏注入时，Gate已经形成，天然阻隔了对沟道的影响。最终就是SD的多子掺杂程度远远大于沟道下方的多子浓度，当栅压变化时，会在沟道区域形成强反型层，从而载流子可以形成SD的电流。

王之凡 · 发表于 2022-7-11 23:04:18

原问题中，“有源区其实就是p注入形成的”，这个不太准确。画pmos时，要画有源区和p注入区，这个应该是对的。个人理解，应该是指 p+=pSelect ∩ Active ∩ nWell吧。掩膜组就会有3个框了。

xingmem · 发表于 2022-7-12 08:28:15

Calvin_Fang 发表于 2021-7-25 12:12
有源区不是用来形成源漏的么，如果要做PMOS的话，那不就得P注入么？其实我想问的是，版图上的DIFF和PPLUS ...

现在的主流工艺大多都是STI工艺，也叫前沟槽隔离工艺，diff就是有源区，要做mos器件注入或者二极管，三极管，电阻注入的区域，但这个diff主要不是用来注入用的，而是形成STI区域mask的基础区域，没有diff的地方全是sti,也就是SIO2区域，后续的工艺步骤P/N+是用来做离子注入mask的基础layer，源漏的离子注入能量很低浓度很高，没办法穿越SIO2，只能在DIFF区域形成注入，希望可以帮到你。

bing_bing · 发表于 2022-8-28 12:06:41

想请教下大家，NWELL 和 NPLUS 两层mask 的在工艺上的具体操作是怎么样的？比如画一条ntap 里面既有nplus 也有nwell

ncash0933 · 发表于 2022-8-28 13:48:52

謝謝分享

huaercsu · 发表于 2022-9-5 10:10:12

学习到了

ncash0933 · 发表于 2022-9-5 10:19:15

谢谢分享

kingdexing · 发表于 2023-12-5 14:51:28

二楼太强了，很全面，学习学习

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