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[讨论] DIFF和P/N PLUS的区别

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发表于 2021-7-16 16:43:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

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n阱工艺中,画pmos管时要画有源区和p注入区,但是器件原理上来讲,只有有源区就行了,而有源区其实就是p注入形成的,版图中为什么两者都有呢?不是同义重复吗?这样做的目的是什么?
发表于 2021-7-16 17:16:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 yanpflove 于 2021-7-16 17:18 编辑

你好


但是器件原理上来讲,只有有源区就行了,而有源区其实就是p注入形成的


你把“有源区”理解错了。
有源区有很多种角度理解它,也就有了很多个名字:
有源区是衬底上二氧化硅的开口,提供了注入杂质的通道,所以会叫diffusion,DIFF。。。;
它是场氧化层的反,经典CMOS工艺中,衬底上除了场氧化层的区域,就是有源区,所以也叫反型槽;
厚的场氧化层拿掉之后,最终只能拥有比较薄的氧化层,所以是薄氧区域,有人叫它“薄氧”,THIN;
这块区域,一般比周围氧化层要低洼一下,形似沟槽,所以也叫沟槽区,moat;
它是有源器件的重要组成部分,所以也叫有源区,Acitive Area,AA;
。。。

有源区不是P注入形成的;


发表于 2021-7-18 14:48:29 来自手机 | 显示全部楼层
楼上正解
发表于 2021-7-19 09:03:42 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2021-7-16 17:16
你好

你把“有源区”理解错了。


解释的很全面 学习了
厉害
发表于 2021-7-20 15:18:24 | 显示全部楼层
学习到了
发表于 2021-7-20 15:19:37 | 显示全部楼层
理解错误了有源区和P注入
 楼主| 发表于 2021-7-25 12:12:37 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2021-7-16 17:16
你好

你把“有源区”理解错了。


有源区不是用来形成源漏的么,如果要做PMOS的话,那不就得P注入么?其实我想问的是,版图上的DIFF和PPLUS在工艺制作时,这两个层承担的职能有什么区别,我看到有人说,这两个层加起来才是源漏,那单独一个DIFF层为什么不能做源漏呢?这应该跟工艺制作的工序有关系,还是有疑惑,求教求教谢谢!
发表于 2021-7-25 13:04:14 | 显示全部楼层


Calvin_Fang 发表于 2021-7-25 12:12
有源区不是用来形成源漏的么,如果要做PMOS的话,那不就得P注入么?其实我想问的是,版图上的DIFF和PPLUS ...


你好,

请你认真辨析这几个概念:
有源区、注入、MOS管的源漏

关于有源区,已经给你提供了好几个角度来理解它了,核心本质是氧化层开口;
注入,离子注入,打到氧化层上就被挡住了,发挥不出效果,如果想打到下面,必须把这块的氧化层去掉;


其实我想问的是,版图上的DIFF和PPLUS在工艺制作时,这两个层承担的职能有什么区别,我看到有人说,这两个层加起来才是源漏,那单独一个DIFF层为什么不能做源漏呢?这应该跟工艺制作的工序有关系

这两层,顾名思义,一个是氧化层开口,一个是含有杂质离子的注入;
什么是源漏?你先问一下自己什么是MOS管,你对源漏这个概念不清晰,很可能你对MOS的原理和MOS管的制作过程也不清晰,建议你复习一下。

既然你已经意识到“这应该跟工艺制作的工序有关系”,那建议你复习一下CMOS的工艺流程。
 楼主| 发表于 2021-7-25 15:49:21 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2021-7-25 13:04
你好,

请你认真辨析这几个概念:


受教了,感谢释疑!!
发表于 2022-1-12 11:20:44 | 显示全部楼层
感谢答疑
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