DIFF和P/N PLUS的区别

Calvin_Fang · 发表于 2021-7-16 16:43:50

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n阱工艺中，画pmos管时要画有源区和p注入区，但是器件原理上来讲，只有有源区就行了，而有源区其实就是p注入形成的，版图中为什么两者都有呢？不是同义重复吗？这样做的目的是什么？

yanpflove · 发表于 2021-7-16 17:16:23

本帖最后由 yanpflove 于 2021-7-16 17:18 编辑

你好

但是器件原理上来讲，只有有源区就行了，而有源区其实就是p注入形成的

你把“有源区”理解错了。
有源区有很多种角度理解它，也就有了很多个名字：
有源区是衬底上二氧化硅的开口，提供了注入杂质的通道，所以会叫diffusion，DIFF。。。；
它是场氧化层的反，经典CMOS工艺中，衬底上除了场氧化层的区域，就是有源区，所以也叫反型槽；
厚的场氧化层拿掉之后，最终只能拥有比较薄的氧化层，所以是薄氧区域，有人叫它“薄氧”，THIN；
这块区域，一般比周围氧化层要低洼一下，形似沟槽，所以也叫沟槽区，moat；
它是有源器件的重要组成部分，所以也叫有源区，Acitive Area，AA；
。。。

有源区不是P注入形成的；

lianaissmec · 发表于 2021-7-18 14:48:29

楼上正解

Williams00 · 发表于 2021-7-19 09:03:42

yanpflove 发表于 2021-7-16 17:16
你好

你把“有源区”理解错了。

解释的很全面学习了
厉害

模拟后端的小白 · 发表于 2021-7-20 15:18:24

学习到了

模拟后端的小白 · 发表于 2021-7-20 15:19:37

理解错误了有源区和P注入

Calvin_Fang · 发表于 2021-7-25 12:12:37

yanpflove 发表于 2021-7-16 17:16
你好

你把“有源区”理解错了。

有源区不是用来形成源漏的么，如果要做PMOS的话，那不就得P注入么？其实我想问的是，版图上的DIFF和PPLUS在工艺制作时，这两个层承担的职能有什么区别,我看到有人说，这两个层加起来才是源漏，那单独一个DIFF层为什么不能做源漏呢？这应该跟工艺制作的工序有关系，还是有疑惑，求教求教谢谢！

yanpflove · 发表于 2021-7-25 13:04:14

Calvin_Fang 发表于 2021-7-25 12:12
有源区不是用来形成源漏的么，如果要做PMOS的话，那不就得P注入么？其实我想问的是，版图上的DIFF和PPLUS ...

你好，

请你认真辨析这几个概念：
有源区、注入、MOS管的源漏

关于有源区，已经给你提供了好几个角度来理解它了，核心本质是氧化层开口；
注入，离子注入，打到氧化层上就被挡住了，发挥不出效果，如果想打到下面，必须把这块的氧化层去掉；

其实我想问的是，版图上的DIFF和PPLUS在工艺制作时，这两个层承担的职能有什么区别,我看到有人说，这两个层加起来才是源漏，那单独一个DIFF层为什么不能做源漏呢？这应该跟工艺制作的工序有关系

这两层，顾名思义，一个是氧化层开口，一个是含有杂质离子的注入；
什么是源漏？你先问一下自己什么是MOS管，你对源漏这个概念不清晰，很可能你对MOS的原理和MOS管的制作过程也不清晰，建议你复习一下。

既然你已经意识到“这应该跟工艺制作的工序有关系”，那建议你复习一下CMOS的工艺流程。

Calvin_Fang · 发表于 2021-7-25 15:49:21

yanpflove 发表于 2021-7-25 13:04
你好，

请你认真辨析这几个概念：

受教了，感谢释疑！！

Bobby_Dylan · 发表于 2022-1-12 11:20:44

感谢答疑

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