低供电电压下开关/switch的设计困难

邓小力 · 发表于 2021-7-15 11:53:33

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如下图所示，Sansen在讲低功耗ΔΣ设计时，提到了低电压开关的设计难点，举的例子是一个传输门开关，得到的结论是VDD(Φ1高电平)要大于(VGSn+VGSp)=1.6V才行：

我的问题是，我不用这种传输门结构就可以啊，比如只用一个NMOS管来实现，就可以大大降低对VDD的要求：

但是我又感觉哪里不太对，是我哪里思考错了么？

quantus · 发表于 2021-7-15 13:09:59

vout那么小，整个1v的供电只用2成有效范围，这样动态范围也下来了

ol0930 · 发表于 2021-7-15 13:42:58

1、只能传较低电平
2、导通电阻变化大

邓小力 · 发表于 2021-7-15 18:27:52

quantus 发表于 2021-7-15 13:09
vout那么小，整个1v的供电只用2成有效范围，这样动态范围也下来了

嗯也是……这个我倒是没有考虑过，只想到了能不能传的问题，没想到传过去是什么样的。
谢谢啦~

邓小力 · 发表于 2021-7-15 18:29:03

ol0930 发表于 2021-7-15 13:42
1、只能传较低电平
2、导通电阻变化大

嗯嗯谢谢！那关于低电压开关的设计有什么思路吗~我看到书上后面有用OPA来做开关的，但是OPA本身有多个晶体管，也不适用于低电压呀……

david_reg · 发表于 2021-7-16 11:41:47

邓小力发表于 2021-7-15 18:29
嗯嗯谢谢！那关于低电压开关的设计有什么思路吗~我看到书上后面有用OPA来做开关的，但是OPA本身有多个晶 ...

这种情况一般可以用bootstrap switch.

hieli · 发表于 2021-7-16 20:40:56

你这不就是把p管删了而已么
vout范围肯定是0~vdd

邓小力 · 发表于 2021-7-20 21:23:09

hieli 发表于 2021-7-16 20:40
你这不就是把p管删了而已么
vout范围肯定是0~vdd

这个好像不一定诶，我之前做了这个开关，输出幅度是会有衰减的，不是0-Vdd

lynker · 发表于 2021-7-23 16:51:24

我记得讲到了有源开关，使用运放替代开关

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