SMIC .18um的IO PAD上的ESD NMOS衬底接源极怎么才能分开？

摩卡咖啡

我们这款芯片有三个GND电位，但是用了SMIC提供的IO,它的IO上的ESD的NMOS的衬底都是和源极接在一起，然后和IO filler接起来就自动连到了这段环路的GND上了，没法只接AGND.由于衬底接了不同的地，导致不同GND短路了。现在想把衬底单独接到AGND上，难道得自己设计IO吗？感觉用他们的一是本身不让改，二是也不好改。看了看GND的PAD内部连线好像拆不出来NMOS的衬底。

• 顺带想问，他们有没有单独的ESD模块？这一整个没法玩了。自己又设计不了符合性能的的。
• 咋改好呢？
  

489315174

不是有cut cell 吗

moonforest

一般都会提供break单元，smic 0.18里面好像叫power cut 什么的

摩卡咖啡

   

489315174 发表于 2021-7-2 08:37
不是有cut cell 吗

按我的理解，有cutcell表面上把环路断开了，实际上ESD的NMOS衬底，连到了PSUB衬底上，接还是接了不同的GND。N阱工艺的PSUB应该都是连起来的吧，所以不同的GND还是会接起来。难道SIMC的IO只能所有的GND都短路吗？(流汗)

tcx963258

   

摩卡咖啡 发表于 2021-7-2 10:08
按我的理解，有cutcell表面上把环路断开了，实际上ESD的NMOS衬底，连到了PSUB衬底上，接还是接了不同的GN ...

cell 是提供给你们使用的，首先要保证你们自己的环路设计没有问题。
明显是环路设计有问题了，正确做法是不同电源域 ESD 要分开，不同域的地通过双向地diode连接，注意使用手册描述，双向diode 的串级越多会降低环路防护能力，要合理分配电源域以及ESD 方案。

489315174

   

摩卡咖啡 发表于 2021-7-2 10:08
按我的理解，有cutcell表面上把环路断开了，实际上ESD的NMOS衬底，连到了PSUB衬底上，接还是接了不同的GN ...

不同地之间要B2B diode的，不加就是你们ESD 网络的问题

rainydate

看看

摩卡咖啡

   

发重复了

摩卡咖啡

   

tcx963258 发表于 2021-7-2 10:45
cell 是提供给你们使用的，首先要保证你们自己的环路设计没有问题。
明显是环路设计有问题了，正确做法是 ...

前辈，是这样，我们是有加这种二极管进行不同GND隔离的。LVS能正常过的。
我们这款芯片有三个GND接到PAD,分别HPGND、DGND、AGND，但后来实测原版芯片发现他们之间的电阻有十几兆欧。可能是对噪声要求比较高，特地把GND分离开了。我们的都短路了。
然后看了下原版的芯片的版图，发现他们的所有MOS（模拟、数字、IO ESD cell）的衬底都是接在AGND上的。DGND接在了数字的源极、HPGND也是只接了MOS的源极。ESD模块也只接了AGND,所以相当不同GND是相互断路的，阻值也就很大。
我们第一版没有考虑这个问题，数字衬底都接了DGND,模拟衬底接了AGND HPGND。出来的芯片GND直接的阻值只有十几欧姆。
现在发现问题后，我们也想改成这样，结果发现IO ESD cell的NMOS衬底都有接HPGND、DGND、AGND。衬底应该在物理层面都是短路的吧？
那想着如果这ESD的衬底不能统一改成AGND。到时候做出来还是不同GND会短路吧？
毕竟SMIC IO是用了SUDB这种虚拟标记层骗过LVS，才让LVS不提示短路的。
我这么理解对吗？

摩卡咖啡

   

489315174 发表于 2021-7-2 11:15
不同地之间要B2B diode的，不加就是你们ESD 网络的问题

前辈，问题上少打了衬底两个字，刚才改了下。这个二极管是有加的，不过不是背对背的，用的是SIMC提供的cut cell 。LVS可以通过，具体上边回复里有说明。
SMIC IO cell 的ＮＭＯS衬底都是接在了附近的GND PAD上了。衬底地应该都是一整个芯片连在一起的吧？我想着，那这样不同GND会通过衬底导通吧？就实现不了GND彻底断开的效果了。
原来的设计是HPGND,DGND只接了源极，衬底只接了AGND，所以才实现各个GND不互通的。而且他们的ESD是用二极管做的单独模块，AGND围着芯片画了一圈上边放上了ESD cell。
我们这没能力做自己的IO ESD cell，想看看SMIC有没有提供这种单独ESD模块或者看看有没有人改过这个。