spectre中亚阈值区vdsat的理解

海绵

   

bo_feng 发表于 2021-6-22 11:05
在BSIM model中用统一的公式计算饱和区和亚阈值区。

参考MOSFET MODELING & BSIM3 USER’S GUIDE

非常感谢！！！

豆不毁

要大于3*vt

强风吹拂

Mark一下

NakajimaYuto

   

豆不毁 发表于 2021-6-25 09:08
要大于3*vt

请问这是如何推导得出的呢？

NakajimaYuto

   

NakajimaYuto 发表于 2022-3-23 09:42
请问这是如何推导得出的呢？

已解决

唐人

   

豆不毁 发表于 2021-6-25 09:08
要大于3*vt

你好，我思考了，但没有想出来，希望能够得到指导，怎么推的呢

uniquemh

   

唐人 发表于 2022-3-31 19:10
你好，我思考了，但没有想出来，希望能够得到指导，怎么推的呢

公式中有一项1-exp（-Vds/VT），Vds大于3VT，这一项可以认为是1

唐人

谢谢，懂了

LSLS1997

学习了

萧炎

亚阈值电流和饱和电流的本质是不同的：
MOS管强反型，且工作在饱和区时，沟道夹断点和漏级之间的漂移电流占总电流的主要部分；
       而弱反型时（亚阈值），源漏之间主要是少子扩散电流，他的公式与PN结的电流特性类似，因为两者同为扩散电流，故成指数率，但是亚阈值区是少子扩散，他的电流是比较小的。
       我对亚阈值的vdsat的理解是，亚阈值区MOS的导电方式和PN结类似，那么形成稳定的扩散电流还是需要一定的偏压的，拉扎维书上给到100mV左右，对于书上的式子我对这个ξ的作用还是有点疑问，希望大佬能帮忙解答一下。
       根据以上特性，我们得到了这样几个结论，当VGS与Vth之间的关系使MOS弱反型，那么VDS无论怎么变，MOS管要么截止，要么工作在亚阈值区，大大增大了信号的输入范围。也由于亚阈值电流是扩散电流，那么受沟道调制也比较小，电流稳定性也非常好。但是扩散电流的电流值很小，并且启动速度很慢，这也是亚阈值区带来的一些问题。
       以上是本萌新对亚阈值区的一些见解，希望对题主有帮助，也欢迎大佬补充。