小白求助基本电流镜问题

子车天纵 · 发表于 2021-6-15 16:52:17

嘟嘟大白菜发表于 2021-6-15 16:34
M2的vds 只有873mv 这个管子没有进入线性区吗？

M2是二极管接法，只要开启就是饱和的

minxuezhang1117 · 发表于 2021-6-15 17:04:50

嘟嘟大白菜发表于 2021-6-15 16:49
请问那我如果想改成自己设定的电流值比如1mA，怎么调整呢？这个是(VGS2-VGS4)/R 但是我调整R时， M2 和M ...

当然了，mos管的电流和vgs vds都有关系，这个只能通过仿真确定了

嘟嘟大白菜 · 发表于 2021-6-15 17:11:56

子车天纵发表于 2021-6-15 16:52
M2是二极管接法，只要开启就是饱和的

Vdsat是过驱动电压吗？应该等于vgs-vth吧，为什么仿真出来还是有几十mV差别，比如M2

子车天纵 · 发表于 2021-6-15 17:39:23

嘟嘟大白菜发表于 2021-6-15 17:11
Vdsat是过驱动电压吗？应该等于vgs-vth吧，为什么仿真出来还是有几十mV差别，比如M2
...

这两个东西不完全是一回事，最简单的模型里他们是相等的。但是实际上vdsat还受其他因素的影响，比如速度饱和之类。

wjx197733 · 发表于 2021-6-15 22:01:18

楼主需要恶补一下模拟集成电路的基础知识。

mouseliu · 发表于 2021-6-16 09:31:16

1.M2最多是进入亚阈值区，不会进入先行区
2.你让3V的管子工作在了5V下面，导致M4的sub漏电了
3. 这么高的供电电压（5V），M4的Drain电压很高（VDD-Vgs），M4也不会进入线性区

嘟嘟大白菜 · 发表于 2021-6-16 09:37:49

wjx197733 发表于 2021-6-15 22:01
楼主需要恶补一下模拟集成电路的基础知识。

感谢提醒，以前是搞分立元器件硬件设计，感觉对MOS分立器件也还有点基础，现在才初学模拟集成电路，拉扎维那本书看了两章感觉公式有点多，就找了个电路仿真，感觉没有学的太通透。问题有点多，感觉入门有点困难。请问有没有好点的方法

wjx197733 · 发表于 2021-6-17 21:07:29

嘟嘟大白菜发表于 2021-6-16 09:37
感谢提醒，以前是搞分立元器件硬件设计，感觉对MOS分立器件也还有点基础，现在才初学模拟集成电路，拉扎 ...

哎，谁都是从一片空白过来的。拉扎维那本书写的不错，我当时看的也非常吃力，不过还是得坚持，把书上的公式都推导一遍，就心里有底了。

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