3微米厚硅光芯片工艺

widder

如题，顶层硅厚度3um，硅光波导，跟微电子制造工艺差异性较大，刻蚀深度可达3um。有几个问题困扰了很久，看看大家能否指点一二：
硅光波导和P+和N+有源区做完之后，需要做电极，但由于刻蚀深度较大，因此想法是在硅光波导和P+和N+区上覆盖一层0.5um厚的Oxide，高低差3um左右，然后外延多晶硅进行填充，然后进行CMP至光波导，上表面局部区域为硅，其他为多晶硅，然后再外延硅，问题：此时硅的上表面生长的是不是单晶硅，多晶硅上表面生长的是不是还是多晶硅。