测量了一款芯片数模地之间电阻十几M欧姆？他们会是怎么隔离开的？

摩卡咖啡 · 发表于 2021-5-18 21:56:50

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逆向了一款芯片，用的单n阱。18um工艺，我们的芯片出来DGND和AGND阻值只有十几欧姆，原版的芯片阻值却是十几MΩ。
衬底不是数模都是共用的吗？为什么他们的GND之间的阻值能那么大？
我们为了尽量隔离GND做的几个工作：
1.数模之间拉开了一定距离，不大10um距离；

2.cutcell隔开了不同GND，用了双向二极管接起来了

3.分别走线拉到不同的PAD上
4.拉了一条接AGND的p+保护环（这个是不是有问题）
还有什么措施没做好吗？
还是有个高转低模块不小心有把衬底接了不同GND电位又放的太近导致衬底在那边导通了？

fengluan83 · 发表于 2021-5-18 22:22:26

大概人家使用的并不是单井工艺啊，所以D和A 的gnd可以完全隔离

myee · 发表于 2021-5-19 08:24:42

数字的衬底接触单独布线接模拟地就可以了

totowo · 发表于 2021-5-19 12:00:12

有Deep Nwell 就可以

遍体林香 · 发表于 2021-5-19 16:49:31

我也觉得他们的两个地，一个是psub，另一个是做在Deep N-well里的

摩卡咖啡 · 发表于 2021-5-19 22:13:19

fengluan83 发表于 2021-5-18 22:22
大概人家使用的并不是单井工艺啊，所以D和A 的gnd可以完全隔离

那如果是单n阱工艺，不加dnw，是不是怎么做也不会把衬底隔离开？

摩卡咖啡 · 发表于 2021-5-19 22:40:28

遍体林香发表于 2021-5-19 16:49
我也觉得他们的两个地，一个是psub，另一个是做在Deep N-well里的

加dnw的方式我还没有画过，只照着画过里边几个dnw的mos管，那请教下整体把数字或者模拟做在dnw里，是怎么做，用dnw层框起来吗？

摩卡咖啡 · 发表于 2021-5-19 22:42:45

totowo 发表于 2021-5-19 12:00
有Deep Nwell 就可以

请教一下这个dnw应该怎么用？是这个吗？给数字框起来？

摩卡咖啡 · 发表于 2021-5-19 22:52:57

myee 发表于 2021-5-19 08:24
数字的衬底接触单独布线接模拟地就可以了

我们就是数字单独的DGND，模拟单独的AGND，分别拉到不同PAD上的，但实际好像没有用，衬底不是都是一个衬底吗？这样做理论上会有效果吗？

摩卡咖啡 · 发表于 2021-5-19 22:55:38

fengluan83 发表于 2021-5-18 22:22
大概人家使用的并不是单井工艺啊，所以D和A 的gnd可以完全隔离

如果是单n阱，是不是AGND和DGND之间阻值很小是正常的？我们之前做的几款全都是阻值很小，量了国外的几款芯片，有的是隔离开的，有的也是阻值很小。可能是高精度，对噪声要求严格的会采取一定方法隔离吧，现在领导就觉得是版图的锅；

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