GGMOS的钳位电压是指哪个电压？1欧姆原则是怎么计算出来的？

hwynhh@163.com · 发表于 2021-5-21 14:34:30

zhangyang370281 发表于 2021-5-15 14:07
1欧姆原则一般是针对HBM和MM模型得来的标准，如果考虑CDM模型，1欧姆原则有些偏大了，比如TSMC N12 rule，H ...

同意你的观点，那计算电阻的时候GGMOS的钳位电压怎么去取呢？

hwynhh@163.com · 发表于 2021-5-21 14:35:25

gubels 发表于 2021-5-14 21:53
Please sare more information

我一直拿Vhold去计算钳位电压，并用Vhold去计算泄放路径电阻。
但由TLP曲线可知，GGMOS在达到Vhold电压后会上升，也就是说，按照Vhold去当GGMOS当钳位电压，算出来ESD Rail电阻是过于乐观的。
这里你是怎么处理的？

gtfei · 发表于 2021-5-21 15:13:18

hwynhh@163.com 发表于 2021-5-21 14:32
我一直拿Vhold去计算钳位电压，并用Vhold去计算泄放路径电阻。
但由TLP曲线可知，GGMOS在达到Vhold电压后 ...

I-V曲线，V上升的原因是I上升了，你如果定下了设计的I值，对应的VHOLD就是你的设计值，在这个基础上留点margin。
这个margin+你走线上留的margin去做，基本就能保证通路上的电压不会超过你的设计值。

hwynhh@163.com · 发表于 2021-5-24 10:17:42

gtfei 发表于 2021-5-21 15:13
I-V曲线，V上升的原因是I上升了，你如果定下了设计的I值，对应的VHOLD就是你的设计值，在这个基础上留点m ...

也就是说我应该取It2这一点对应的电压值，也就是GGMOS的钳位电压。
多谢解答

gubels · 发表于 2021-5-24 11:28:39

hwynhh@163.com 发表于 2021-5-24 10:17
也就是说我应该取It2这一点对应的电压值，也就是GGMOS的钳位电压。
多谢解答

Thank you very much for sharing the knowledge myself to learn in detail looking for some testbenched gow to run these simulations.

Please refer some good docs for the same.

tnx in advance.

mars0904 · 发表于 2021-5-24 15:16:38

hwynhh@163.com 发表于 2021-5-21 14:33
你说得对的，那计算电阻的时候GGMOS的钳位电压怎么去取呢？

根据你的实际情况，看HBM LEVEL对应的current Ic大小，找到ggmos对应的TLP voltage Vtlp.
这个时候就是Vtlp+Ic*R<Vbd device break down voltage就可以确认R的大小了。

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-24 20:59:56

hwynhh@163.com 发表于 2021-5-21 14:34
同意你的观点，那计算电阻的时候GGMOS的钳位电压怎么去取呢？

GGNMOS的嵌位电压，你可以通过TLP测量得到I_V特性曲线，从而计算出GGNMOS的导通电阻

IC2019 · 发表于 2021-6-7 16:35:33

学习一下

xiongjf · 发表于 2021-12-23 17:37:21

学习一下，感觉还可以再讨论讨论

MOUSES · 发表于 2022-2-21 10:43:36

gtfei 发表于 2021-5-14 14:37
钳位电压是指vhold电压，定义为不管电流怎么变，电压基本不变，这个电压就是钳位电压
1ohm原则是为了保护器 ...

一欧姆原则指的是？在线等

[讨论] GGMOS的钳位电压是指哪个电压？1欧姆原则是怎么计算出来的？

站长推荐 /2