GGMOS的钳位电压是指哪个电压？1欧姆原则是怎么计算出来的？

hwynhh@163.com · 发表于 2021-5-14 14:17:18

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GGMOS的钳位电压是指哪个电压？是Vhold吗？
1欧姆原则是怎么计算出来的？

gtfei · 发表于 2021-5-14 14:37:54

钳位电压是指vhold电压，定义为不管电流怎么变，电压基本不变，这个电压就是钳位电压
1ohm原则是为了保护器件定义的，标准情况下2kv HBM等效1.33A峰值电流，能够产生1.33V压降，这个压降加上CLAMP的钳位电压，可能会超过PAD处的device抗压，所以需要限定这1ohm电阻，否则ESD的效率会下降

hwynhh@163.com · 发表于 2021-5-14 15:12:10

gtfei 发表于 2021-5-14 14:37
钳位电压是指vhold电压，定义为不管电流怎么变，电压基本不变，这个电压就是钳位电压
1ohm原则是为了保护器 ...

钳位电压如果是Vhlod的话，随着电流的释放，ESD端口电压会上升的啊（看TLP曲线可知）
如果按照Vhlod 去计算1欧姆原则，那这个“钳位电压”会上升，通过计算岂不是没有一个基准值？

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-14 21:36:50

1欧姆原则是一级ESD的要求，如果GGNMOS用过二级ESD保护，二级放电路径的电阻的要求更松

gubels · 发表于 2021-5-14 21:53:43

Please sare more information

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-15 14:07:00

1欧姆原则一般是针对HBM和MM模型得来的标准，如果考虑CDM模型，1欧姆原则有些偏大了，比如TSMC N12 rule，HBM和MM要求一级ESD路径电阻为1欧姆，但是考虑CDM 5A rule，要求一级ESD路径的电阻0.1欧姆（core gate）

gtfei · 发表于 2021-5-15 14:39:08

hwynhh@163.com 发表于 2021-5-14 15:12
钳位电压如果是Vhlod的话，随着电流的释放，ESD端口电压会上升的啊（看TLP曲线可知）
如果按照Vhlod 去计 ...

如果有TLP曲线可以看，你留足margin去选择对应设计电流情况下的vhold就行了啊，肯定是不能选V_trigger当vhold的剩下的就看你留多大的margin了，你要做得保险，把vhold选大一点，牺牲面积保证ESD性能也不是不可以

PS: 每次signoff都得自己做，这才是最难的

mars0904 · 发表于 2021-5-17 09:36:51

1ohm 是根据你用GGMOS的被保护device所能承受的break down voltage算出来的。
很多情况下并是不1ohm

hwynhh@163.com · 发表于 2021-5-21 14:32:10

gtfei 发表于 2021-5-15 14:39
如果有TLP曲线可以看，你留足margin去选择对应设计电流情况下的vhold就行了啊，肯定是不能选V_trigger当v ...

我一直拿Vhold去计算钳位电压，并用Vhold去计算泄放路径电阻。
但由TLP曲线可知，GGMOS在达到Vhold电压后会上升，也就是说，按照Vhold去当GGMOS当钳位电压，算出来ESD Rail电阻是过于乐观的。
这里你是怎么处理的？

hwynhh@163.com · 发表于 2021-5-21 14:33:21

mars0904 发表于 2021-5-17 09:36
1ohm 是根据你用GGMOS的被保护device所能承受的break down voltage算出来的。
很多情况下并是不1ohm ...

你说得对的，那计算电阻的时候GGMOS的钳位电压怎么去取呢？

[讨论] GGMOS的钳位电压是指哪个电压？1欧姆原则是怎么计算出来的？

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