芯片跨电压域接口信号的CDM ESD防护

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-14 15:45:45

mars0904 发表于 2021-5-14 13:47
你说的这个线越长，ESD越要加强，是因为线越长寄生电阻越大。跟这个不是一回事。
...

寄生电阻越大不是越好吗？本来信号的CDM保护都要求ESD电阻>= 200欧姆啊，电阻越大限流和分压能力越强，对MOS管栅保护更好

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-14 21:33:31

mars0904 发表于 2021-5-14 13:47
你说的这个线越长，ESD越要加强，是因为线越长寄生电阻越大。跟这个不是一回事。
...

接口信号线的电阻越大，对ESD保护越强才对啊，我觉得你理解不太正确，这个就跟ANT 效应类似，越是长线越容易发生ANT效应，

mars0904 · 发表于 2021-5-17 09:41:13

zhangyang370281 发表于 2021-5-14 21:33
接口信号线的电阻越大，对ESD保护越强才对啊，我觉得你理解不太正确，这个就跟ANT 效应类似，越是长线越 ...

你说的没错，我少考虑你应用环境了。
我所说的电阻越大，ESD越要加强是针对PG net.
对于crss domain的信号而言，电阻大会有好处。

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-17 11:04:11

mars0904 发表于 2021-5-17 09:41
你说的没错，我少考虑你应用环境了。
我所说的电阻越大，ESD越要加强是针对PG net.
对于crss domain的信 ...

感谢回复

sunsky2010 · 发表于 2021-5-31 17:09:49

本帖最后由 sunsky2010 于 2021-5-31 17:16 编辑

zhangyang370281 发表于 2021-4-27 18:10
见图的事例，两个跨域（共地）的信号传输，电压域不同，信号线面积不超过32um (CDM ESD 5A)

...

应该还是处于CDM防护的要求，在CDM感应电荷的时候，金属线上积累的电荷应该跟面积成正比，防止VDDB放电的时候损坏buffer2的pmos gate。可以问下Fab。

hujiangtao007 · 发表于 2022-9-9 14:22:54

是不是如果是跨不同的地，需要在中间加方向diode的CDM保护电路？

nanke · 发表于 2024-12-10 15:29:10

同问。CDM相比其它ESD不太容易理解。跨电源和跨地都需要加CDM保护吗？CDM保护是需要p+n还是和天线效应一样对地的diode就行。

lgs4903483 · 发表于 2024-12-13 01:53:31

nanke 发表于 2024-12-10 15:29
同问。CDM相比其它ESD不太容易理解。跨电源和跨地都需要加CDM保护吗？CDM保护是需要p+n还是和天线效应一样 ...

如果地是share的，就不需要cdm保护，其实大部分芯片地都是share的，最后都封装到一起去了

凌一五八 · 发表于 2024-12-13 08:51:14

mars0904 发表于 2021-5-14 13:47
你说的这个线越长，ESD越要加强，是因为线越长寄生电阻越大。跟这个不是一回事。
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寄生电阻这个解释是对的

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